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1. (WO2017180531) ÉPITAXIE SEMI-CONDUCTRICE DE GROUPE III FORMÉE SUR DU SILICIUM VIA DES COUCHES TAMPONS MONOCRISTALLINES REN ET REO
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N° de publication :    WO/2017/180531    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/026856
Date de publication : 19.10.2017 Date de dépôt international : 10.04.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : IQE, PLC [GB/GB]; IQE plc Head Office Pascal Close St. Mellons, Cardiff CF3 0LW (GB).
DARGIS, Rytis [LT/US]; (US) (US only).
CLARK, Andrew [AU/US]; (US) (US only).
LEBBY, Michael [GB/US]; (US) (US only).
PELZEL, Rodney [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : DARGIS, Rytis; (US).
CLARK, Andrew; (US).
LEBBY, Michael; (US).
PELZEL, Rodney; (US)
Mandataire : KELLY, Edward, J.; (US).
MACK, James F.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/322,141 13.04.2016 US
Titre (EN) GROUP III SEMICONDUCTOR EPITAXY FORMED ON SILICON VIA SINGLE CRYSTAL REN AND REO BUFFER LAYERS
(FR) ÉPITAXIE SEMI-CONDUCTRICE DE GROUPE III FORMÉE SUR DU SILICIUM VIA DES COUCHES TAMPONS MONOCRISTALLINES REN ET REO
Abrégé : front page image
(EN)Layer structures are described for the formation of Group III-V semiconductor material over Si<110> and Si<100>. Various buffer layers and interfaces reduce the lattice strain between the Group III-V semiconductor material and the Si<110> or Si<100> layers, allowing for the epitaxial formation of high quality Group III-V semiconductor material.
(FR)La présente invention concerne des structures de couches pour la formation de matériau semi-conducteur de groupe III-V sur du Si<110> et du Si<100>. Diverses couches tampons et interfaces réduisent la contrainte de réseau entre le matériau semi-conducteur de groupe III-V et les couches de Si<110> ou de Si<100>, permettant la formation épitaxiale du matériau semi-conducteur de groupe III-V de qualité élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)