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1. (WO2017179680) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM HFN ET FILM HFN

Pub. No.:    WO/2017/179680    International Application No.:    PCT/JP2017/015210
Publication Date: Fri Oct 20 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Apr 15 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/31
C23C 16/34
C23C 16/44
H01L 21/318
Applicants: WACOM R&D CORPORATION
株式会社ワコム研究所
Inventors: TODA, Masayuki
都田 昌之
SASAKI, Yoshikazu
佐々木 善和
UMEDA, Masaru
梅田 優
KUSUHARA, Masaki
楠原 昌樹
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM HFN ET FILM HFN
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication de film HfN qui permet une alimentation stable en matière première à une unité de réaction et qui peut être utilisé pendant une longue période, et un film HfN. Le procédé de fabrication de film HfN utilise un dispositif de formation de film muni d'une buse de douche à laquelle un gaz de matière première, vaporisé par un vaporisateur, est fourni par l'intermédiaire d'une tuyauterie, et qui pulvérise le gaz de matière première sur un substrat pour la formation de film disposé d'une manière opposée à une surface de buse. La buse de douche comprend une paroi externe qui s'étend avec une ouverture d'introduction pour la tuyauterie au centre, une paroi périphérique s'élevant à partir de l'extrémité étendue de la paroi externe, et la surface de buse, qui recouvre l'extrémité de la paroi périphérique. Le procédé de fabrication de film HfN consiste à fournir une ouverture d'alimentation en gaz de façon à fournir un gaz de réaction directement dans une chambre de réaction, et à monter une tranche sur un suscepteur, lorsque le gaz de matière première TEMAH a un débit de 0,2 CCM et qu'une pression de chambre de réaction est de 4 torr, le suscepteur ayant une température dans une plage non inférieure à 250 °C et non supérieure à 270°C, et le gaz de réaction NH3 ayant un débit dans une plage non inférieure à 9,0 CCM et non supérieure à 15,0 CCM.