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1. (WO2017179442) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ D'EXPLOITATION D'UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication :    WO/2017/179442    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/013507
Date de publication : 19.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2017
CIB :
H04N 5/376 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : HANZAWA Katsuhiko; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; (JP).
INAMOTO Yoshio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-081033 14.04.2016 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, METHOD FOR OPERATING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ D'EXPLOITATION D'UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子および固体撮像素子の動作方法、撮像装置、並びに電子機器
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to a solid-state imaging element, a method for operating a solid-state imaging element, an imaging device, and an electronic device which achieve power saving of a solid-state imaging element. Before switching is performed such that a signal output of an (N+1)th row driver is transmitted after a signal output of an Nth row driver to be outputted on the basis of a selection signal of a vertical scanning unit has been outputted, the Nth row and (N+1)th row drivers are brought into a floating state, and control signal lines to which the signal outputs of the drivers are transmitted are short-circuited, thereby dispersing charge and increasing the potential of the next (N+1)th row control signal line to an intermediate potential. Thereafter, the (N+1)th row driver outputs the signal output. Consequently, the (N+1)th row driver can reduce power consumption since only a shift from the intermediate potential to a Hi level is required. The present disclosure is applicable to a solid-state imaging element.
(FR)La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteur, un procédé d'exploitation d'un élément d'imagerie à semi-conducteur, un dispositif d'imagerie et un dispositif électronique, qui réalisent des économies d'énergie d'un élément d'imagerie à semi-conducteur. Avant que la commutation soit effectuée de telle façon qu'une sortie de signal d'un moyen d'attaque de (N+1)ème ligne soit émise après qu'une sortie de signal d'un moyen d'attaque de Nième ligne à délivrer sur la base d'un signal de sélection d'une unité de balayage vertical a été délivrée, les moyens d'attaque de Nième ligne et de (N+1)ème ligne sont placés dans un état flottant, et des lignes de signal de commande auxquelles sont envoyées les sorties de signaux des moyens d'attaque sont court-circuitées, dispersant ainsi la charge et augmentant le potentiel de la ligne de signal de commande de la (N+1)ème ligne suivante jusqu'à un potentiel intermédiaire. Ensuite, le moyen d'attaque de (N+1)ème ligne délivre la sortie de signal. Par conséquent, le moyen d'attaque de (N+1)ème ligne peut réduire la consommation énergétique, car seul un passage du potentiel intermédiaire à un niveau Haut est nécessaire. La présente invention est applicable à un élément d'imagerie à semi-conducteur.
(JA)本開示は、固体撮像素子を省電力化することができるようにする固体撮像素子および固体撮像素子の動作方法、撮像装置、並びに電子機器に関する。 垂直走査部の選択信号に基づいて出力されるN行目のドライバの信号出力が、出力された後、(N+1)行目のドライバの信号出力が送信されるように切り替わる前に、N行目、および(N+1)行目のドライバをフローティング状態にすると共に、ドライバの信号出力が送信される制御信号線を短絡し、電荷分散させて、次の(N+1)行目の制御信号線の電位を中間電位に上昇させる。この後に、(N+1)行目のドライバが信号出力を出力する。これにより、(N+1)行目のドライバは、中間電位からHiレベルにするだけでよいので、消費電力を低減することができる。本開示は、固体撮像素子に適用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)