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1. (WO2017178947) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication :    WO/2017/178947    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/052047
Date de publication : 19.10.2017 Date de dépôt international : 10.04.2017
CIB :
G06G 7/60 (2006.01), G06N 3/063 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : KUROKAWA, Yoshiyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-081092 14.04.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)To provide a semiconductor device including a first memory cell for holding first analog data, a second memory cell for holding reference analog data, and an offset circuit. The first memory cell and the second memory cell supply a first current and a second current, respectively, when a reference potential is supplied. The offset circuit supplies a third current corresponding to a differential current between the first current and the second current. The first memory and the second memory supply a fourth current and a fifth current, respectively, when a potential corresponding to second analog data is supplied. By subtracting the third current from a differential current between the fourth current and the fifth current, a current that depends on the sum of products of the first analog data and the second analog data is obtained. By providing a plurality of product-sum operation circuits that can be freely connected, a hierarchical neural network can be formed.
(FR)L'invention vise à fournir un dispositif à semi-conducteurs comprenant une première cellule de mémoire destinée à contenir de premières données analogiques, une deuxième cellule de mémoire destinée à contenir des données analogiques de référence, et un circuit de décalage. La première cellule de mémoire et la deuxième cellule de mémoire fournissent un premier courant et un deuxième courant, respectivement, quand un potentiel de référence est appliqué. Le circuit de décalage fournit un troisième courant correspondant à un courant différentiel entre le premier courant et le deuxième courant. La première mémoire et la deuxième mémoire fournissent un quatrième courant et un cinquième courant, respectivement, quand un potentiel correspondant aux deuxièmes données analogiques est appliqué. En soustrayant le troisième courant d'un courant différentiel entre le quatrième courant et le cinquième courant, un courant qui dépend de la somme des produits des premières données analogiques et des deuxièmes données analogiques est obtenu. En fournissant une pluralité de circuits d'opérations produit-somme qui peuvent être librement connectés, un réseau neuronal hiérarchique peut être formé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)