WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017178463) ELÉMENT DE DÉTECTION À COUCHE MINCE POUR UN THERMOMÈTRE À RÉSISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/178463    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/058631
Date de publication : 19.10.2017 Date de dépôt international : 12.04.2017
CIB :
G01K 7/18 (2006.01)
Déposants : INNOVATIVE SENSOR TECHNOLOGY IST AG [CH/CH]; Stegrütistr. 14 9642 Ebnat-Kappel (CH)
Inventeurs : HOLOUBEK, Jiri; (CZ)
Mandataire : ANDRES, Angelika; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 106 675.3 12.04.2016 DE
Titre (DE) DÜNNSCHICHTSENSORELEMENT FÜR EIN WIDERSTANDSTHERMOMETER
(EN) THIN-LAYER SENSOR ELEMENT FOR A RESISTANCE THERMOMETER
(FR) ELÉMENT DE DÉTECTION À COUCHE MINCE POUR UN THERMOMÈTRE À RÉSISTANCE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Dünnschichtsensorelement (1) zur Bestimmung und/oder Überwachung der Temperatur. Dazu ist eine Widerstandsstruktur (4) vorgesehen, die auf einem Substrat (2) in einem Widerstandsbereich (3) angeordnet ist. Die Widerstandsstruktur (4) ist so strukturiert ist, dass sich ein erster Abschnitt (5) der Widerstandsstruktur (4) in einem ersten Referenzpunkt (53) in zwei Zweige (51, 52) verzweigt, und dass sich ein zweiter Abschnitt (6) der Widerstandsstruktur in einem zweiten Referenzpunkt (63) in zwei weitere Zweige (61, 62) verzweigt. In einem Kontaktbereich (7) werden die vier Zweige mit vier Zwischenleitern (81, 82, 83, 84) in vier voneinander isolierten Kontaktflächen (71, 72, 73, 74) verbunden. Daher ist das Dünnschichtsensorelement (1) ist ein echtes Vierleitersensorelement, wobei die Referenzpunkte (53, 63) der Vierleiterschaltung innerhalb des Widerstandsbereichs (3) liegen. Das Widerstandsthermometer (13) mit dem erfindungsgemäßen Dünnschichtsensorelement (1) ist von großer Genauigkeit.
(EN)The invention relates to a thin-layer sensor element (1) for determining and/or monitoring temperature. To this end, a resistor structure (4) is provided that is arranged on a substrate (2) in a resistor area (3). The resistor structure (4) is structured such that a first section (5) of the resistor structure (4) branches into two paths (51, 52) at a first reference point (53), and that a second section (6) of the resistor structure branches into two further paths (61, 62) at a second reference point (63). In a contact area (7), the four paths are connected to four intermediate conductors (81, 82, 83, 84) in four contact pads (71, 72, 73, 74) that are insulated from one another. Therefore, the thin-layer sensor element (1) is a genuine four-conductor sensor element, the reference points (53, 63) of the four-conductor circuit being situated within the resistor area (3). The resistance thermometer (13) having the thin-layer sensor element (1) according to the invention is highly accurate.
(FR)L'invention concerne un élément de détection à couche mince (1) permettant de déterminer et/ou de surveiller la température. A cet effet, une structure de résistance (1) est disposée sur un substrat (2) dans une zone de résistance (3). La structure de résistance (4) est conçue de sorte qu'une première partie (5) de la structure de résistance (4) se ramifie dans un premier point de référence (53) en deux branches (51, 52) et qu'une seconde partie (6) de la structure de résistance se ramifie dans un second point de référence en deux autres branches (61, 62). Les quatre branches sont reliées dans une zone de contact (7) à quatre conducteurs intermédiaires (81, 82, 83, 84) dans quatre surfaces de contact (71, 72, 73, 74) isolées les unes des autres. L'élément de détection à couche mince (1) est de ce fait un véritable élément de détection quatre fils, les points de référence (53, 63) du circuit quatre fils se situant à l'intérieur de la zone de résistance (3). Le thermomètre à résistance (13) doté de l'élément de détection à couche mince (1) selon l'invention est d'une grande précision.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)