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1. (WO2017177877) CAPTEUR DE MAGNÉTORÉSISTANCE AVEC ENCAPSULATION DE BOBINE D'INITIALISATION
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N° de publication :    WO/2017/177877    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/079948
Date de publication : 19.10.2017 Date de dépôt international : 10.04.2017
CIB :
G01R 33/09 (2006.01)
Déposants : MULTIDIMENSION TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 7 Guangdong Road, Free Trade Zone Zhangjiagang, Jiangsu 215634 (CN)
Inventeurs : DEAK, James Geza; (CN).
ZHANG, Xiaojun; (CN)
Mandataire : SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD.; Room 1508 Huihua Commercial & Trade Building No. 80 Xian Lie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
201620296367.7 11.04.2016 CN
Titre (EN) MAGNETO-RESISTANCE SENSOR WITH ENCAPSULATION OF INITIALIZATION COIL
(FR) CAPTEUR DE MAGNÉTORÉSISTANCE AVEC ENCAPSULATION DE BOBINE D'INITIALISATION
(ZH) 一种具有初始化线圈封装的磁电阻传感器
Abrégé : front page image
(EN)A magneto-resistance sensor with encapsulation of an initialization coil, comprising an encapsulation structure, at least one set of sensor slices (5), a spiral initialization coil (4), a lead bonding pad (2), an ASIC-specific integrated circuit (3) and an encapsulation layer, wherein the spiral initialization coil (4) is arranged on a PCB substrate (1) of the encapsulation structure; each set of sensor slices (5) comprises two sensor slices (5); each sensor slice (5) comprises two sets of magneto-resistance sensing unit series, and the magneto-resistance sensing unit series located on the sensor slice (5) is connected to form a magneto-resistance sensing unit electrical bridge; the ASIC-specific integrated circuit (3) and the magneto-resistance sensing unit electrical bridge are electrically connected; the sensor slices (5) are located above the spiral initialization coil (4), and are respectively arranged surrounding the spiral initialization coil (4); and the lead bonding pad (2) and the ASIC-specific integrated circuit (3) are electrically connected. The sensor reduces the sensor hysteresis lag and offset generated due to the magnetic domain of a flux concentrator, is low in cost, and is easy to manufacture.
(FR)La présente invention concerne un capteur de magnétorésistance avec encapsulation d'une bobine d'initialisation, comprenant une structure d'encapsulation, au moins un ensemble de tranches de capteur (5), une bobine d'initialisation en spirale (4), un plot de connexion de conducteur (2), un circuit intégré spécifique à un ASIC (3) et une couche d'encapsulation, dans lequel la bobine d'initialisation en spirale (4) est agencée sur un substrat de carte de circuit imprimé (PCB) (1) de la structure d'encapsulation ; chaque ensemble de tranches de capteur (5) comprend deux tranches de capteur (5) ; chaque tranche de capteur (5) comprend deux ensembles de séries d'unités de détection de magnétorésistance, et la série d'unités de détection de magnétorésistance située sur la tranche de capteur (5) est connectée pour former un pont électrique d'unité de détection de magnétorésistance ; le circuit intégré spécifique à un ASIC (3) et le pont électrique d'unité de détection de magnétorésistance sont électriquement connectés ; les tranches de capteur (5) sont situées au-dessus de la bobine d'initialisation en spirale (4), et sont respectivement agencées autour de la bobine d'initialisation en spirale (4) ; et le plot de connexion de conducteur (2) et le circuit intégré spécifique à un ASIC (3) sont électriquement connectés. Le capteur réduit la latence d'hystérésis du capteur et le décalage généré en raison du domaine magnétique d'un concentrateur de flux, a un coût faible et est facile à fabriquer.
(ZH)一种具有初始化线圈封装的磁电阻传感器,包括封装结构、至少一组传感器切片(5)、螺旋初始化线圈(4)、引线键合焊盘(2)、ASIC专用集成电路(3)和封装层,其中螺旋初始化线圈(4)设置在封装结构的PCB基板(1)上,每组传感器切片(5)包括两个传感器切片(5),每个传感器切片(5)包括两组磁电阻传感单元串,且位于传感器切片(5)上的磁电阻传感单元串连接成磁电阻传感单元电桥,ASIC专用集成电路(3)和磁电阻传感单元电桥之间电连接,传感器切片(5)位于螺旋初始化线圈(4)的上方,且分别布置在螺旋初始化线圈(4)的周围,引线键合焊盘(2)与ASIC专用集成电路(3)电连接;该传感器减少了由于通量集中器磁畴产生的传感器磁滞和偏移,成本低,易于制造。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)