Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2017176486) CELLULE DE MÉMOIRE FLASH NON VOLATILE À GRILLE DIVISÉE DE TAILLE RÉDUITE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/176486    International Application No.:    PCT/US2017/024310
Publication Date: Fri Oct 13 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Mar 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/70
H01L 27/115
H01L 29/788
Applicants: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
Inventors: WANG, Chunming
Title: CELLULE DE MÉMOIRE FLASH NON VOLATILE À GRILLE DIVISÉE DE TAILLE RÉDUITE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne une matrice de cellules de mémoire non volatile de taille réduite, qui est obtenue par formation de premières tranchées dans une couche isolante dans la direction de rangée, remplissage des premières tranchées avec un matériau isolant, formation de secondes tranchées dans la couche isolante dans la direction de colonne, formation d'un matériau isolant de tranchée d'isolation peu profonde (STI) dans les secondes tranchées, et formation de zones de source à travers les premières tranchées. En variante, les régions d'isolation STI peuvent être rendues continues, et l'implantation de diffusion de source présente une énergie suffisante pour former des diffusions de ligne de source continues qui s'étendent chacune à travers les régions actives et sous les régions d'isolation STI. Ceci permet de former plus près l'une de l'autre des grilles de commande de paires de cellules de mémoire adjacentes.