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1. (WO2017176457) DISPOSITIFS À DIODE ZENER INTÉGRÉE
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N° de publication :    WO/2017/176457    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/023718
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 23.03.2017
CIB :
H01L 29/866 (2006.01), H01L 29/87 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC [US/US]; 115 Northeast Cutoff Worcester, Massachusetts 01606 (US)
Inventeurs : KUO, Chung, C.; (US).
KLEBANOV, Maxim; (US)
Mandataire : MOOSEY, Anthony, T.; (US).
CROOKER, Albert, C.; (US).
WHITE, James, M.; (US).
ROBINSON, Kermit; (US).
MILMAN, Seth, A.; (US).
DURKEE, Paul, D.; (US).
CROWLEY, Judith, C.; (US).
MOFFORD, Donald, F.; (US).
DALY, Christopher, S.; (US).
DOWNING, Marianne, M.; (US).
LANGE, Kristoffer, W.; (US).
FLINDERS, Matthew; (US)
Données relatives à la priorité :
15/089,787 04.04.2016 US
Titre (EN) DEVICES WITH AN EMBEDDED ZENER DIODE
(FR) DISPOSITIFS À DIODE ZENER INTÉGRÉE
Abrégé : front page image
(EN)In one aspect, a silicon-controlled rectifier (SCR) includes a Zener diode embedded in the SCR. In another aspect, a laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) includes a Zener diode embedded in the LDMOS. In a further aspect, a lateral insulated-gate bipolar transistor (IGBT) includes a Zener diode embedded in the IGBT.
(FR)Selon un aspect, cette invention concerne un redresseur commandé par silicium (SCR), comprenant une diode Zener intégrée dans le redresseur SCR. Selon un autre aspect, l'invention concerne un semi-conducteur à oxyde métallique diffusé latéralement (LDMOS) comprenant une diode Zener intégrée dans le LDMOS. Selon un autre aspect, l'invention un transistor bipolaire à grille isolée latérale (IGBT) comprenant une diode Zener intégrée dans le transistor IGBT.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)