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1. (WO2017176027) PROCÉDÉ DE GRAVURE SÉLECTIVE D'UN FILM D'OXYDE DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2017/176027    International Application No.:    PCT/KR2017/003671
Publication Date: Fri Oct 13 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Wed Apr 05 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/311
H01L 21/3213
H01L 21/02
Applicants: TES CO.,LTD
주식회사 테스
Inventors: KWON, Bong-Soo
권봉수
SIM, Tae-Yong
심태용
Title: PROCÉDÉ DE GRAVURE SÉLECTIVE D'UN FILM D'OXYDE DE SILICIUM
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de gravure sélective d'un film d'oxyde de silicium à l'aide d'un procédé à basse température dans un procédé de fabrication de semi-conducteurs et, plus particulièrement, le procédé comprend les étapes consistant à : placer, dans un réacteur, un substrat ayant un film d'oxyde de silicium et un film de nitrure de silicium formés sur celui-ci ; définir les conditions de traitement y compris une température de traitement ayant une plage de 0 °C à 30 °C au-dessous de zéro ; et fournir un gaz de traitement dans le réacteur dans les conditions de traitement de façon à graver sélectivement le film d'oxyde de silicium par rapport au film de nitrure de silicium.