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1. (WO2017175799) SUBSTRAT DE SiC POLYCRISTALLIN ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/175799    International Application No.:    PCT/JP2017/014248
Publication Date: Fri Oct 13 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Thu Apr 06 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/36
Applicants: SICOXS CORPORATION
株式会社サイコックス
Inventors: YAGI, Kuniaki
八木 邦明
KOBAYASHI, Motoki
小林 元樹
Title: SUBSTRAT DE SiC POLYCRISTALLIN ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Abstract:
La présente invention concerne un substrat support 2 qui est un substrat de SiC polycristallin formé à partir de SiC polycristallin, la vitesse de changement de la grosseur des grains de substrat, calculée par la division de la différence entre la valeur moyenne de grosseur de grain de SiC polycristallin sur une première surface, qui est l'une des deux surfaces du substrat de SiC polycristallin, et la valeur moyenne de grosseur de grain de SiC polycristallin sur une deuxième surface, qui est l'autre des deux surfaces du substrat de SiC polycristallin, par l'épaisseur du substrat de SiC polycristallin, étant de 0,43 % ou moins et le rayon de courbure de la déviation du substrat de SiC polycristallin étant de 142 m ou plus.