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1. (WO2017175755) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE COMPOSITE POURVUE D'UN FILM MINCE D'OXYDE MONOCRISTALLIN
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N° de publication : WO/2017/175755 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/014072
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 04.04.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,B23K 20/00 (2006.01) ,B23K 20/24 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/425 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/312 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
20
Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
20
Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage
24
Traitement préalable
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
42
Bombardement par des radiations
423
par des radiations d'énergie élevée
425
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
312
par laminage ou collage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs
Déposants :
信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 6-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs :
秋山 昌次 AKIYAMA, Shoji; JP
Mandataire :
奥山 尚一 OKUYAMA, Shoichi; JP
有原 幸一 ARIHARA, Koichi; JP
松島 鉄男 MATSUSHIMA, Tetsuo; JP
Données relatives à la priorité :
2016-07580705.04.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE WAFER PROVIDED WITH OXIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE COMPOSITE POURVUE D'UN FILM MINCE D'OXYDE MONOCRISTALLIN
(JA) 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a composite wafer that is free of cracking and peeling at the bonding interface between a support wafer and an oxide single crystal thin film and in which a thin film of an oxide single crystal, which is lithium tantalate or lithium niobate, is transferred onto the entire surface of the support wafer. A method for manufacturing a composite wafer according to the present invention includes at least: a step for forming an ion-implanted layer in the interior of an oxide single crystal wafer; a step for applying surface activation treatment to at least one of the ion-implanted surface of the oxide single crystal wafer and the surface of a support wafer; a step for bonding the ion-implanted surface of the oxide single crystal wafer and the surface of the support wafer and obtaining a joined body; a step for applying first heat treatment to the joined body at a temperature that is equal to or higher than 90°C and at which no cracking occurs; a step for applying a mechanical impact to the ion-implanted layer; and a step for applying second heat treatment, at a temperature of 250-600°C, to the support wafer onto which an oxide single crystal thin film has been transferred and obtaining a composite wafer.
(FR) L'invention concerne une tranche composite qui est exempte de fissuration et de décollement à l'interface de collage entre une tranche de support et un film mince d'oxyde monocristallin, et dans laquelle un film mince d'un oxyde monocristallin, qui est du tantalate de lithium ou du niobate de lithium, est transféré sur la surface entière de la tranche de support. Un procédé de fabrication d'une tranche composite selon la présente invention comprend au moins les étapes suivantes : la formation d'une couche à implantation ionique à l'intérieur d'une tranche d'oxyde monocristallin ; l'application d'un traitement d'activation de surface à la surface d'implantation ionique de la tranche d'oxyde monocristallin et/ou à la surface d'une tranche de support ; le collage de la surface d'implantation ionique de la tranche d'oxyde monocristallin et de la surface de la tranche de support et l'obtention d'un corps assemblé ; l'application d'un premier traitement thermique sur le corps assemblé à une température qui est égale ou supérieure à 90 °C et à laquelle aucune fissuration ne se produit ; d'application d'un choc mécanique sur la couche à implantation ionique ; l'application d'un second traitement thermique, à une température de 250 à 600 °C, à la tranche de support sur laquelle le film mince d'oxyde monocristallin a été transféré et l'obtention d'une tranche composite.
(JA) 支持ウェーハと酸化物単結晶薄膜との貼り合わせ界面に割れや剥がれがなく、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである酸化物単結晶の薄膜が転写された複合ウェーハを提供する。酸化物単結晶ウェーハの内部にイオン注入層を形成する工程と、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と支持ウェーハの表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施す工程と、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と支持ウェーハの表面とを貼り合わせて接合体を得る工程と、接合体を90℃以上であって割れを生じない温度で第1の熱処理する工程と、前記イオン注入層に機械的衝撃を与える工程と、酸化物単結晶薄膜を転写した支持ウェーハを250℃~600℃で第2の熱処理し、複合ウェーハを得る工程とを少なくとも含む、複合ウェーハの製造方法である。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)