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1. (WO2017175732) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES

Pub. No.:    WO/2017/175732    International Application No.:    PCT/JP2017/013988
Publication Date: Fri Oct 13 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Apr 04 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/786
H01L 21/336
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
株式会社神戸製鋼所
Inventors: GOTO Hiroshi
後藤 裕史
OCHI Mototaka
越智 元隆
KITAYAMA Takumi
北山 巧
KUGIMIYA Toshihiro
釘宮 敏洋
Title: TRANSISTOR EN COUCHES MINCES
Abstract:
Ce transistor en couches minces possède, sur un substrat et dans cet ordre, au moins: une couche d’oxyde semi-conducteur, une couche d’isolation de grille, une électrode de grille, une électrode source/drain et un film de protection; il contient en outre une couche de protection. La couche d’oxyde semi-conducteur est constituée d'un oxyde contenant In, Ga, Zn, Sn et O dans un rapport atomique spécifié, la couche de protection contient SiNx, et pour ce transistor, la mobilité électronique est supérieure ou égale à 15cm2/Vs.