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1. (WO2017175544) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/175544    International Application No.:    PCT/JP2017/009965
Publication Date: Fri Oct 13 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Mar 14 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 21/8238
H01L 27/092
H01L 29/78
H01L 29/786
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: IKEURA Shogo
池浦 奨悟
NONAKA Yusuke
野中 裕介
YANAGI Shinichirou
柳 振一郎
NOMA Seiji
野間 誠二
SAKURAI Shinya
櫻井 晋也
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant un MOSFET à canal P (20) dans lequel une zone du type N enterrée (21a) est disposée sur la couche de surface d'une couche de corps du type N (21). En conséquence de la configuration, la tension de seuil Vt peut être abaissée. De plus, une concentration d'impuretés du type N peut être maintenue à un niveau relativement élevé dans des parties autres que la zone du type N enterrée (21a) dans la couche de corps du type N (21), et ainsi, la tension de seuil Vt peut être abaissée tout en garantissant la tension de claquage à l'état passant. En outre, étant donné qu'une couche active du type N (33) constitue une zone d'accumulation, une partie à forte concentration partielle n'est pas formée dans une couche de migration du type P (23). Par conséquent, une diminution de la tension de claquage due à une concentration de champ électrique provoquée par une concentration de lignes équipotentielles dans la distribution de lignes équipotentielles, comme dans le cas où une partie à forte concentration partielle est générée dans la couche de migration du type P (23), est empêchée.