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1. (WO2017175538) ENCEINTE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ENCEINTE
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N° de publication : WO/2017/175538 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/009645
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 10.03.2017
CIB :
H01L 23/34 (2006.01) ,H05K 7/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
7
Détails de construction communs à différents types d'appareils électriques
20
Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
Déposants :
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs :
藤野 伸一 FUJINO Shinichi; JP
久保木 誉 KUBOKI Takashi; JP
川井 勝 KAWAI Masaru; JP
Mandataire :
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-07715007.04.2016JP
Titre (EN) CASE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING CASE
(FR) ENCEINTE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ENCEINTE
(JA) ケース、半導体装置、ケースの製造方法
Abrégé :
(EN) In order to improve heat dissipation of a semiconductor circuit inserted into a case, there is provided a case having a semiconductor circuit inserted therein, wherein the case is provided with: a heat dissipation part having, on the inside thereof, a contact surface that comes into contact with the semiconductor circuit; a thin-wall part formed to surround the contact surface and to be thinner than the heat dissipation part; and an indented part formed between the thin-wall part and the heat dissipation part and indented with respect to the contact surface, the inner surface of the indented part being disposed between the contact surface and the inner surface of the thin-wall part in the thickness direction of the case.
(FR) Afin d’améliorer la dissipation thermique d’un circuit semi-conducteur inséré dans une enceinte, l’invention concerne une enceinte dans laquelle est inséré un circuit semi-conducteur, l’enceinte comportant : une partie de dissipation thermique à l’intérieur de laquelle est située une surface de contact qui entre en contact avec le circuit semi-conducteur ; une partie à paroi mince formée pour entourer la surface de contact et pour être plus mince que la partie de dissipation thermique ; et une partie engrenée formée entre la partie à paroi mince et la partie de dissipation thermique et engrenée par rapport à la surface de contact, la surface intérieure de la partie engrenée étant disposée entre la surface de contact et la surface intérieure de la partie à paroi mince dans la direction de l’épaisseur de l'enceinte.
(JA) ケースに挿入される半導体回路の放熱性を向上できる。 内部に半導体回路が挿入されるケースにおいて、半導体回路と接触する接触面を内側に有する放熱部と、接触面を囲むように形成されかつ放熱部よりも薄く形成された薄肉部と、薄肉部と放熱部との間に形成されかつ接触面に対して窪んでいる窪み部とを備え、窪み部の内側の面は、ケースの厚さ方向において、接触面と薄肉部の内側の面との間に配されるケース。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)