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1. (WO2017175528) MATÉRIAU DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2017/175528 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/008686
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 06.03.2017
CIB :
H01L 35/14 (2006.01) ,B22F 1/00 (2006.01) ,B22F 3/14 (2006.01) ,C01B 33/06 (2006.01) ,C22C 30/00 (2006.01) ,H01L 35/26 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14
utilisant des compositions inorganiques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22
FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
F
TRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
1
Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22
FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
F
TRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
3
Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques, caractérisée par le mode de compactage ou de frittage; Appareils spécialement conçus pour cette fabrication
12
Compactage et frittage
14
simultanément
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33
Silicium; Ses composés
06
Siliciures métalliques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
C
ALLIAGES
30
Alliages contenant moins de 50% en poids de chaque constituant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
26
utilisant des compositions changeant de façon continue ou discontinue à l'intérieur du matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
34
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
Inventeurs :
西出 聡悟 NISHIDE, Akinori; JP
早川 純 HAYAKAWA, Jyun; JP
黒崎 洋輔 KUROSAKI, Yosuke; JP
Mandataire :
特許業務法人藤央特許事務所 TOU-OU PATENT FIRM; 東京都港区虎ノ門一丁目16番4号アーバン虎ノ門ビル Urban Toranomon Bldg., 16-4, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité :
2016-07575205.04.2016JP
Titre (EN) THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) MATÉRIAU DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 熱電変換材料及びその製造方法
Abrégé :
(EN) A thermoelectric conversion material according to the present invention comprises crystal grains of a first crystal phase silicide and crystal grains of a second crystal phase silicide. The average crystal grain size of each of the first crystal phase silicide and the second crystal phase silicide is greater than 0 and up to 100 nm. The first crystal phase silicide is composed of an element selected from element Mn, element Fe, and element Cr and element Si or is composed of an element selected from element Mn, element Fe, and element Cr, element Si, and at least one element selected from element Al, element Ga, and element In. The second crystal phase silicide is composed of an element selected from element Mn, element Fe, and element Cr, element Si, and at least one metal element selected from element Al, element Ga, and element In. The crystal grains of the first crystal phase silicide and the crystal grains of the second crystal phase silicide are oriented.
(FR) La présente invention porte sur un matériau de conversion thermoélectrique qui comprend des grains cristallins d'un siliciure de première phase cristalline et des grains cristallins d'un siliciure de seconde phase cristalline. La taille moyenne des grains cristallins de chacun du siliciure de première phase cristalline et du siliciure de seconde phase cristalline est supérieure à 0 et va jusqu'à 100 nm. Le siliciure de première phase cristalline est composé d'un élément choisi parmi l'élément Mn, l'élément Fe et l'élément Cr et de l'élément Si, ou est composé d'un élément choisi parmi l'élément Mn, l'élément Fe et l'élément Cr, de l'élément Si, et d'au moins un élément choisi parmi l'élément Al, l'élément Ga et l'élément In. Le siliciure de seconde phase cristalline est composé d'un élément choisi parmi l'élément Mn, l'élément Fe et l'élément Cr, de l'élément Si, et d'au moins un élément métallique choisi parmi l'élément Al, l'élément Ga et l'élément In. Les grains cristallins du siliciure de première phase cristalline et les grains cristallins du siliciure de seconde phase cristalline sont orientés.
(JA) 熱電変換材料は、第1結晶相シリサイドの結晶粒と、第2結晶相シリサイドの結晶粒と、を含む。第1結晶相シリサイドと第2結晶相シリサイドそれぞれの平均結晶粒径は、0より大きく100nm以下である。第1結晶相シリサイドは、Mn元素、Fe元素、Cr元素から選択された元素とSi元素とで構成される、又は、Mn元素、Fe元素、Cr元素から選択された元素とSi元素とAl元素、Ga元素、In元素から選択された1以上の元素とで構成されている。第2結晶相シリサイドは、Mn元素、Fe元素、Cr元素から選択された元素と、Si元素と、Al元素、Ga元素、In元素から選択された1以上の金属元素とで構成されている。第1結晶相シリサイドの結晶粒と前記第2結晶相のシリサイド結晶粒は配向されている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)