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1. (WO2017175408) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEUR, ET PROGRAMME
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N° de publication : WO/2017/175408 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/078436
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 27.09.2016
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
677
pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
Déposants :
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Inventeurs :
斉藤 一人 SAITO, Kazuhito; JP
八島 司 YASHIMA, Tsukasa; JP
Données relatives à la priorité :
2016-07799708.04.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEUR, ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
Abrégé :
(EN) Provided is a configuration for maintaining productivity and automatically controlling the execution of recipes. A configuration provided with a processing chamber in which a substrate is processed, a first transfer chamber in which the substrate is transferred in a vacuum, a second transfer chamber in which the substrate is transferred at atmospheric pressure, a preparatory chamber that links the first transfer chamber and the second transfer chamber, and enables pressure to be reduced, and a control unit that respectively executes a maintenance recipe in the preparatory chamber and a production recipe in the processing chamber, wherein when the control unit receives an instruction for executing the production recipe while the maintenance recipe is being executed, the control unit temporarily stops the maintenance recipe and executes the production recipe as a priority, and after the production recipe has finished, continues to execute the temporarily-stopped maintenance recipe.
(FR) L'invention concerne une configuration pour maintenir la productivité et commander automatiquement l'exécution de recettes. Une configuration comprend une chambre de traitement dans laquelle un substrat est traité, une première chambre de transfert dans laquelle le substrat est transféré sous vide, une deuxième chambre de transfert dans laquelle le substrat est transféré à la pression atmosphérique, une chambre préparatoire qui relie la première chambre de transfert et la deuxième chambre de transfert et permet de réduire la pression, et une unité de commande qui exécute respectivement une recette de maintenance dans la chambre préparatoire et une recette de production dans la chambre de traitement. Lorsque l'unité de commande reçoit une instruction pour exécuter la recette de production pendant que la recette de maintenance est en cours d'exécution, l'unité de commande interrompt temporairement la recette de maintenance et exécute la recette de production en tant que priorité, puis continue d'exécuter la recette de maintenance temporairement arrêtée après que la recette de production est terminée.
(JA) 生産性を維持し、自動でレシピを実行制御できる構成を提供する。基板に処理を施す処理室と、真空状態で基板の搬送が行われる第一搬送室と、大気圧状態で基板の搬送が行われる第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記予備室における保守レシピ及び前記処理室における生産レシピをそれぞれ実行する制御部を備えた構成において、前記制御部は、前記保守レシピを実行中に、前記生産レシピを実行する指示を受付けると、前記保守レシピを一時停止して前記生産レシピを優先して実行させ、前記生産レシピが終了後、一時停止していた前記保守レシピを継続して実行させる構成が提供される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)