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1. (WO2017175376) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/175376 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/061533
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 08.04.2016
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
オリンパス株式会社 OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 東京都八王子市石川町2951番地 2951, Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1928507, JP
Inventeurs :
小林 賢司 KOBAYASHI Kenji; JP
Mandataire :
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor device has a first semiconductor substrate, a second semiconductor substrate, a plurality of connecting parts, a first insulating part, a shielding part, and a second insulating part. The second semiconductor substrate is laminated on the first semiconductor substrate. The plurality of connecting parts are arranged between the first semiconductor substrate and the second semiconductor substrate, and electrically connect the first circuit and the second circuit. The first insulating part is arranged in the periphery of each of the plurality of connecting parts. The shielding part is arranged inside the first insulating part, and is configured using a conductor. The second shielding part is arranged between the connecting part and the first insulating part.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un premier substrat semi-conducteur, un second substrat semi-conducteur, une pluralité de parties de connexion, une première partie d'isolation, une partie de protection et une seconde partie d'isolation. Le second substrat semi-conducteur est laminé sur le premier substrat semi-conducteur. La pluralité de parties de connexion sont agencées entre le premier substrat semi-conducteur et le second substrat semi-conducteur, et connectent électriquement le premier circuit et le second circuit. La première partie d'isolation est disposée à la périphérie de chacune de la pluralité de parties de connexion. La partie de protection est disposée à l'intérieur de la première partie d'isolation et est configurée à l'aide d'un conducteur. La seconde partie de protection est agencée entre la partie de connexion et la première partie d'isolation.
(JA)  半導体装置は、第1の半導体基板と、第2の半導体基板と、複数の接続部と、第1の絶縁部と、遮蔽部と、第2の絶縁部とを有する。前記第2の半導体基板は、前記第1の半導体基板に積層されている。前記複数の接続部は、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板との間に配置され、かつ前記第1の回路と前記第2の回路とを電気的に接続する。前記第1の絶縁部は前記複数の前記接続部の各々の周囲に配置されている。前記遮蔽部は、前記第1の絶縁部の内部に配置され、かつ導電体で構成されている。前記第2の遮蔽部は、前記接続部と前記第1の絶縁部との間に配置されている。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)