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1. (WO2017175095) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2017/175095    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/051782
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 29.03.2017
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-078507 08.04.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A highly reliable semiconductor device includes a first insulator, a second insulator, a first conductor, a third insulator, an oxide semiconductor, second and third conductors, a fourth insulator, a fourth conductor overlapping with a region between the second and third conductors, a fifth insulator, and a sixth insulator in this order. The fourth insulator is in contact with top and side surfaces of the oxide semiconductor, and a top surface of the third insulator. The fifth insulator is in contact with the side surface of the oxide semiconductor and the top surface of the third insulator so as to cover the oxide semiconductor, the second to fourth conductors, and the fourth insulator. The first, second, fifth, and sixth insulators have low permeability for hydrogen, water, and oxygen. The first and sixth insulators have a thinner thickness than the second and sixth insulators, respectively.
(FR)Cette invention concerne un dispositif à semi-conducteur hautement fiable, comprenant un premier isolant, un deuxième isolant, un premier conducteur, un troisième isolant, un semi-conducteur à oxyde, un deuxième et un troisième conducteur, un quatrième isolant, un quatrième conducteur chevauchant une région entre les deuxième et troisième conducteurs, un cinquième isolant et un sixième isolant dans cet ordre. Le quatrième isolant est en contact avec les surfaces supérieure et latérale du semi-conducteur à oxyde, et avec une surface supérieure du troisième isolant. Le cinquième isolant est en contact avec la surface latérale du semi-conducteur à oxyde et la surface supérieure du troisième isolant de façon à recouvrir le semi-conducteur à oxyde, les deuxième à quatrième conducteurs et le quatrième isolant. Les premier, deuxième, cinquième et sixième isolants ont une faible perméabilité à l'hydrogène, à l'eau et à l'oxygène. Les premier et sixième isolants ont une épaisseur inférieure à celle des deuxième et sixième isolants, respectivement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)