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1. (WO2017175083) MANIPULATION ET PIÉGEAGE DE PARTICULES DANS DES DISPOSITIFS MICROFLUIDIQUES À L'AIDE DE MATÉRIAU BIDIMENSIONNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/175083    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/051555
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 17.03.2017
CIB :
B01D 57/02 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District Beijing 100101 (CN) (MG only)
Inventeurs : AZPIROZ, Jaione, Tirapu; (BR).
STEINER, Mathias, Bernhard; (US).
ENGEL, Michael; (US)
Mandataire : PYECROFT, Justine; (GB)
Données relatives à la priorité :
15/093,816 08.04.2016 US
Titre (EN) PARTICLE MANIPULATION AND TRAPPING IN MICROFLUIDIC DEVICES USING TWO-DIMENSIONAL MATERIAL
(FR) MANIPULATION ET PIÉGEAGE DE PARTICULES DANS DES DISPOSITIFS MICROFLUIDIQUES À L'AIDE DE MATÉRIAU BIDIMENSIONNEL
Abrégé : front page image
(EN)Method, apparatus, and computer program product for a microfluidic channel having a cover opposite its bottom and having electrodes with patterned two-dimensional conducting materials, such as graphene sheets integrated into the top of its bottom. Using the two- dimensional conducting materials, once a fluid sample is applied into the channel, highly localized modulated electric field distributions are generated inside the channel and the fluid sample. This generated field causes the inducing of dielectrophoretic (DEP) forces. These DEP forces are the same or greater than DEP forces that would result using metallic electrodes because of the sharp edges enabled by the two-dimension geometry of the two- dimensional conducting materials. Because of the induced forces,micro/nano-particles in the fluid sample are separated into particles that respond to a negative DEP force and particles that respond to a positive DEP. Microfluidic chips with microfluidic channels can be made using standard semiconductor manufacturing technology.
(FR)L'invention concerne un procédé, un appareil et un produit programme d'ordinateur pour un canal microfluidique ayant un couvercle opposé à son fond et ayant des électrodes comprenant des matériaux conducteurs bidimensionnels à motifs, tels que des feuilles de graphène intégrées au sommet de son fond. À l'aide des matériaux conducteurs bidimensionnels, une fois qu'un échantillon de fluide est appliqué dans le canal, des distributions de champ électrique modulées hautement localisées sont générées à l'intérieur du canal et de l'échantillon de fluide. Ce champ généré entraîne l'induction de forces diélectrophorétiques (DEP). Ces forces DEP sont identiques ou supérieures aux forces DEP qui résulteraient de l'utilisation d'électrodes métalliques en raison des bords tranchants permis par la géométrie bidimensionnelle des matériaux conducteurs bidimensionnels. En raison des forces induites, des microparticules/nanoparticules dans l'échantillon de fluide sont séparées en particules qui répondent à une force DEP négative et en particules qui répondent à une force DEP positive. Des puces microfluidiques ayant des canaux microfluidiques peuvent être fabriquées à l'aide d'une technologie de fabrication de semi-conducteur standard.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)