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1. (WO2017174993) OUVERTURE DANS UN SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/174993 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/050968
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 06.04.2017
CIB :
H01L 31/0352 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352
caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
Déposants :
POWER ROLL LIMITED [GB/GB]; Washington Business Centre 2 Turbine Way Sunderland Tyne and Wear SR5 3NZ, GB
Inventeurs :
TOPPING, Alexander John; GB
Mandataire :
HGF LIMITED; 1 City Walk Leeds Yorkshire LS11 9DX, GB
Données relatives à la priorité :
1605916.407.04.2016GB
Titre (EN) APERTURE IN A SEMICONDUCTOR
(FR) OUVERTURE DANS UN SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) An optoelectronic device comprising a substrate comprising a groove having a first and a second face. The first face of the groove is coated with a conductor material and the second face of the groove coated with a semiconductor material. The conductor material and the semiconductor material are in contact with another semiconductor material in the groove. There is an aperture in the another semiconductor material. The first face, second face, the conductor material and the semiconductor material are all in contact with the another semiconductor material in the groove.
(FR) L'invention concerne un dispositif optoélectronique comprenant un substrat comportant une rainure présentant une première et une seconde face. La première face de la rainure est revêtue d'un matériau conducteur et la seconde face de la rainure est revêtue d'un matériau semi-conducteur. Le matériau conducteur et le matériau semi-conducteur sont en contact avec un autre matériau semi-conducteur dans la rainure. Il existe une ouverture dans l'autre matériau semi-conducteur. La première face, la seconde face, le matériau conducteur et le matériau semi-conducteur sont tous en contact avec l'autre matériau semi-conducteur dans la rainure.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)