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1. (WO2017174782) LASER À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication :    WO/2017/174782    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/058378
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 07.04.2017
CIB :
H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : VIERHEILIG, Clemens; (DE).
LELL, Alfred; (DE).
GERHARD, Sven; (DE).
LOEFFLER, Andreas; (DE)
Mandataire : PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 106 495.5 08.04.2016 DE
Titre (DE) HALBLEITERLASER
(EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone, wobei die aktive Zone ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei die Schichtstruktur eine Abfolge von Schichten aufweist, wobei in einer Z-Richtung zwei gegenüber liegende Endflächen vorgesehen sind, wobei wenigstens eine Endfläche ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise auszukoppeln, und wobei die zweite Endfläche ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise zu reflektieren, wobei Führungsmittel zum Ausbilden einer optischen Mode in einem Modenraum zwischen den Endflächen vorgesehen sind, wobei Mittel außerhalb des Modenraumes vorgesehen sind, die eine Ausbildung einer optischen Mode außerhalb des Modenraumes, insbesondere Moden mit einer Ausbreitungsrichtung, die nicht senkrecht zu den Endflächen (14, 15) verlaufen, erschweren.
(EN)The invention relates to a semiconductor laser with a layer structure comprising an active zone, wherein the active zone is designed to generate an electromagnetic radiation. The layer structure has a sequence of layers, and two end surfaces lie opposite each other in a Z direction. At least one end surface is designed to at least partly couple out the electromagnetic radiation, and the second end surface is designed to at least partly reflect the electromagnetic radiation. Guiding means are provided for forming an optical mode in a mode space between the end surfaces, and means are provided outside of the mode space, said means hindering the formation of an optical mode outside of the mode space, in particular modes with a propagation direction which is not perpendicular to the end surfaces (14, 15).
(FR)La présente invention concerne un laser à semi-conducteurs ayant une structure de couches avec une zone active qui est formée pour générer un rayonnement électromagnétique. La structure de couches comprend une série de couches, dans une direction Z sont présentes deux surfaces d’extrémité reposant l’une au-dessus de l’autre, au moins une surface d’extrémité étant formée pour découpler au moins en partie le rayonnement électromagnétique tandis que la seconde surface d’extrémité est formée pour réfléchir au moins en partie le rayonnement électromagnétique. Le laser comprend des moyens de guidage, qui sont destinés à la formation d’un mode optique dans un espace de modes entre les surfaces d’extrémité, et également des moyens en dehors de l’espace de modes qui rendent difficile une formation d’un mode optique en dehors de l’espace de modes, en particulier de modes avec une direction de diffusion qui n’est pas perpendiculaire aux surfaces d’extrémité (14, 15).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)