Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017174709) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE MICROMECANIQUE EN CARBURE DE SILICIUM COMPORTANT AU MOINS UNE CAVITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/174709 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/058222
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 06.04.2017
CIB :
B81C 1/00 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS [FR/FR]; 3 rue Michel Ange 75794 Paris Cedex 16, FR
UNIVERSITÉ DE TOURS [FR/FR]; 60, Rue du Plat d'Etain BP 12050 37020 Tours Cedex 1, FR
Inventeurs :
ALQUIER, Daniel; FR
KHAZAKA, Rami; FR
MICHAUD, Jean François; FR
PORTAIL, Marc; FR
Mandataire :
CAMUS, Olivier; FR
LEBKIRI, Alexandre; FR
Données relatives à la priorité :
165300606.04.2016FR
Titre (EN) PROCESS FOR FABRICATING A MICROMECHANICAL STRUCTURE MADE OF SILICON CARBIDE INCLUDING AT LEAST ONE CAVITY
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE MICROMECANIQUE EN CARBURE DE SILICIUM COMPORTANT AU MOINS UNE CAVITE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a process for fabricating a micromechanical structure made of silicon carbide including a cavity (5), from a stack comprising a first silicon-carbide layer (2) and a silicon layer (3) on the first silicon-carbide layer, said process including a step of shaping the silicon layer (3) so as to form a discrete silicon structure (3') on the first silicon-carbide layer (2). The process according to the invention furthermore comprises, after the step of shaping the silicon layer (3): a step of carbonising initiating the removal of the discrete silicon structure (3'); a step of depositing a second silicon-carbide layer; and an annealing step, the discrete silicon structure (3') being entirely removed at the end of the annealing step.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité (5), à partir d'un empilement comprenant une première couche (2) de carbure de silicium et une couche de silicium (3) sur la première couche de carbure de silicium, ledit procédé comportant une étape de mise en forme de la couche de silicium (3) de sorte à former une structure discrète (3') de silicium sur la première couche (2) de carbure de silicium. Le procédé selon l'invention comprend en outre après l'étape de mise en forme de la couche de silicium (3) : - une étape de carburation initiant l'élimination de la structure discrète de silicium (3'); - une étape de dépôt d'une deuxième couche de carbure de silicium; - une étape de recuit; la structure discrète (3') de silicium étant entièrement éliminée à l'issue de l'étape de recuit. Figures2D-2F
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)