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1. (WO2017174647) FABRICATION D’UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/174647 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/058088
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 05.04.2017
CIB :
H01L 23/495 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01) ,H01L 33/58 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
495
Cadres conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48
Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
60
Éléments réfléchissants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
54
ayant une forme particulière
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
HAIBERGER, Luca; DE
Mandataire :
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 106 270.706.04.2016DE
Titre (EN) PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) FABRICATION D’UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for producing a semiconductor component which can be mounted on a surface. The method has a step of providing a conductor frame, said conductor frame having a pair of two opposing conductor sections. The method further has the steps of arranging a semiconductor chip in an intermediate region between the conductor sections and securing the semiconductor chip to the conductor sections by forming a covering structure, said covering structure covering the conductor sections on a first face and covering the semiconductor chip on a first chip face. Furthermore, contact structures are formed which are connected to the conductor sections on a second face opposite the first face and to the semiconductor chip on a second chip face opposite the first chip face. The method additionally has a step of bending the conductor sections such that the conductor sections have a subsection which is adjacent to the intermediate region and a connection section which is offset to the sub-section. Furthermore, a molding compound is arranged in a region between the bent conductor sections and laterally to the conductor sections such that a housing which has the molding compound and the covering structure is formed and in which the connection sections can be accessed from the outside. The invention further relates to a semiconductor component which can be mounted on a surface and to a display device.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un composant semi-conducteur à montage en surface. Le procédé comprend la production d’un cadre conducteur, le cadre conducteur comprenant une paire de deux sections conductrices disposées l’une en face de l’autre. En outre, il est prévu de disposer une puce de semi-conducteur dans une zone intermédiaire entre les sections conductrices et de fixer la puce de semi-conducteur aux sections conductrices par formation d’une structure de recouvrement, la structure de recouvrement recouvrant les sections conductrices sur un premier côté et la puce de semi-conducteur sur un premier côté de la puce. En outre, des structures de contact sont formées qui sont reliées aux sections conductrices sur un second côté opposé au premier côté et à la puce de semi-conducteur sur un second côté de la puce opposé au premier côté de la puce. Une autre étape consiste à plier les sections conductrices de sorte que les sections conductrices ont une sous-section située à côté de la zone intermédiaire et une section de connexion décalée sur la sous-section. En outre, une matière de moulage est disposée dans une zone située entre les sections conductrices pliées et latéralement aux sections conductrices de façon à former un boîtier qui comporte la matière de moulage et la structure de recouvrement et dans lequel les sections de connexion sont accessibles depuis l’extérieur. L’invention concerne également un composant semi-conducteur à montage en surface et un dispositif d’affichage.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Leiterahmens, wobei der Leiterrahmenein Paar aus zwei gegenüberliegend angeordneten Leiterabschnitten aufweist. Weiter vorgesehen sind ein Anordnen eines Halbleiterchips in einem Zwischenbereich zwischen den Leiterabschnitten und ein Befestigen des Halbleiterchips an den Leiterabschnitten durch Ausbilden einer Abdeckstruktur, wobei die Abdeckstruktur die Leiterabschnitte an einer ersten Seite und den Halbleiterchip an einer ersten Chipseite bedeckt. Des Weiteren werden Kontaktstrukturen ausgebildet, welche an einer zur ersten Seite entgegengesetzten zweiten Seite mit den Leiterabschnitten und an einer zur ersten Chipseite entgegengesetzten zweiten Chipseite mit dem Halbleiterchip verbundensind. Ein weiterer Schritt ist ein Biegen der Leiterabschnitte, so dass die Leiterabschnitte einen Teilabschnitt neben dem Zwischenbereich und einen zu dem Teilabschnitt versetzten Anschlussabschnitt aufweisen. Ferner wird eine Formmasse in einem Bereich zwischen den gebogenen Leiterabschnitten und seitlich der Leiterabschnitte angeordnet, so dass ein die Formmasse und die Abdeckstruktur aufweisendes Gehäuse gebildet wird, bei welchem die Anschlussabschnitte von außen zugänglich sind. Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und eine Anzeigevorrichtung.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)