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1. (WO2017174618) COLLECTEUR D’EFFLUENT DANS UN RÉACTEUR DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD)
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N° de publication : WO/2017/174618 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/058044
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 05.04.2017
CIB :
C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Déposants :
AIXTRON SE [DE/DE]; Dornkaulstraße 2 52134 Herzogenrath, DE
Inventeurs :
GALEWSKI, Carl; US
SAVAS, Stephen Edward; US
MUKINOVIC, Merim; DE
Mandataire :
GRUNDMANN, Dirk; DE
MÜLLER, Enno; DE
RIEDER, Hans-Joachim; DE
BRÖTZ, Helmut; DE
BOURREE, Hendrik; DE
Données relatives à la priorité :
15/091,41205.04.2016US
Titre (EN) EXHAUST MANIFOLD IN A CVD REACTOR
(FR) COLLECTEUR D’EFFLUENT DANS UN RÉACTEUR DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD)
Abrégé :
(EN) An apparatus for extracting a process gas from a coating system, in particular a CVD or PVD reactor comprising an exhaust manifold(1) having a flow channel, wherein the flow channel comprisesa suction opening (2), an adjoining gas ex- traction section(3) in a flow direction (S) and a gas collection section(5) dis- posed downstream of the gas extraction chamber (3) in the flow direction (S) and opening into a vacuum pump port(20, 20', 20'') of a suction line (4, 4', 4''), wherein the length of the suction opening (2) extending in a long side direc- tion(L) is substantially greater than the width extending in a narrow side direc- tion (W) and wherein the gas extraction chamber (3) and the gas collecting chamber (5) are delimited in such a manner by long side walls (6, 8) extending in the long side direction (L) and narrow side walls (7) extending in the narrow side direction (W) that a gas flow is formed in the flow channel as a result of a negative pressure produced in the suction line (4, 4', 4'').Flow-impedingstruc- tures are provided in at least one intermediate space (9) between gas extraction section(3) and gas collecting section(5) which in a central zone(Z) located be- tween two edge zones (R)exert a greater flow resistanceon the gas flow than in the edge zones (R).
(FR) L’invention concerne un appareil pour l’extraction d’un gaz de traitement d’un système d’application de revêtement, en particulier d’un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou de dépôt physique en phase vapeur (PVD), comprenant un collecteur d’effluent (1) ayant un canal de circulation, le canal de circulation comprenant une ouverture d’aspiration (2), une section d’extraction de gaz adjacente (3) dans un sens de circulation (S) et une section de récupération de gaz (5) disposée en aval de la chambre d’extraction de gaz (3) dans le sens de la circulation (S) et s’ouvrant dans un orifice de pompe à vide (20, 20’, 20’’) d’une conduite d’aspiration (4, 4’, 4’’), la longueur de l’ouverture d’aspiration (2) s’étendant dans une direction des grands côtés (L) étant sensiblement plus grande que la largeur s’étendant dans une direction des petits côtés (W) et la chambre d’extraction de gaz (3) et la chambre de récupération de gaz (5) étant délimitées par les parois des grands côté (6, 8) s’étendant dans la direction des grands côtés (L) et les parois des petits côtés (7) s’étendant dans la direction des petits côtés (W) de façon telle qu’une circulation de gaz est formée dans le canal de circulation à cause d’une pression négative produite dans la conduite d’aspiration (4, 4’, 4’’).Des structures entravant la circulation sont disposées dans au moins un espace intermédiaire (9) entre la section d’extraction de gaz (3) et la section de récupération de gaz (5), lesquelles, dans une zone centrale (Z) située entre deux zones de bord (R), exercent une plus grande résistance à l’écoulement sur la circulation de gaz que dans les zones de bord (R).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)