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1. (WO2017174535) FORMATION D’UNE COUCHE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/174535 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/057906
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 04.04.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : AIXTRON SE[DE/DE]; Dornkaulstraße 2 52134 Herzogenrath, DE
Inventeurs : KELMAN, Maxim; US
JIA, Zhongyuan; US
NAG, Somnath; US
DITIZIO, Robert; US
Mandataire : GRUNDMANN, Dirk; DE
MÜLLER, Enno; DE
RIEDER, Hans-Joachim; DE
BRÖTZ, Helmut; DE
BOURREE, Hendrik; DE
Données relatives à la priorité :
15/093,00307.04.2016US
Titre (EN) FORMATION OF A LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) FORMATION D’UNE COUCHE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN) Described herein are techniques for forming an epitaxial III-V layer on a substrate. In a pre-clean chamber, a native oxygen layer may be replaced with a passivation layer bytreating the substrate with a hydrogen plasma (or products of a plasma decomposition). In a deposition chamber, the temperature of the substrate may beelevated to a temperature less than 700°C. While the substrate temperature is elevated, a group V precursor may beflowed into the deposition chamber in order to transform the hydrogen terminated (Si-H) surface of the passivation layer into an Arsenic terminated (Si-As) surface. After the substrate has been cooled, a group III precursor and the group V precursor may beflowed in order to form a nucleation layer. Finally, at an elevated temperature, the group III precursor and group V precursor may beflowed in order to form a bulk III-V layer.
(FR) La présente invention décrit des techniques de formation d’une couche épitaxique III-V sur un substrat. Dans une chambre de prénettoyage, une couche d’oxygène native peut être remplacée par une couche de passivation en traitant le substrat avec du plasma d’hydrogène (ou des produits d’une décomposition de plasma). Dans une chambre de dépôt, la température du substrat peut être élevée à une température inférieure à 700 °C. Lorsque la température du substrat est élevée, un précurseur du groupe V peut être injecté dans la chambre de dépôt afin de transformer la surface à terminaison d’hydrogène (Si-H) de la couche de passivation en une surface à terminaison d’arsenic (Si-As). Après le refroidissement du substrat, un précurseur du groupe III et le précurseur du groupe V peuvent être injectés afin de former une couche de nucléation. Enfin, à une température élevée, le précurseur du groupe III et le précurseur du groupe V peuvent être injectés afin de former une couche de base III-V.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)