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1. (WO2017174535) FORMATION D’UNE COUCHE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/174535 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/057906
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 04.04.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
AIXTRON SE [DE/DE]; Dornkaulstraße 2 52134 Herzogenrath, DE
Inventeurs :
KELMAN, Maxim; US
JIA, Zhongyuan; US
NAG, Somnath; US
DITIZIO, Robert; US
Mandataire :
GRUNDMANN, Dirk; DE
MÜLLER, Enno; DE
RIEDER, Hans-Joachim; DE
BRÖTZ, Helmut; DE
BOURREE, Hendrik; DE
Données relatives à la priorité :
15/093,00307.04.2016US
Titre (EN) FORMATION OF A LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) FORMATION D’UNE COUCHE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) Described herein are techniques for forming an epitaxial III-V layer on a substrate. In a pre-clean chamber, a native oxygen layer may be replaced with a passivation layer bytreating the substrate with a hydrogen plasma (or products of a plasma decomposition). In a deposition chamber, the temperature of the substrate may beelevated to a temperature less than 700°C. While the substrate temperature is elevated, a group V precursor may beflowed into the deposition chamber in order to transform the hydrogen terminated (Si-H) surface of the passivation layer into an Arsenic terminated (Si-As) surface. After the substrate has been cooled, a group III precursor and the group V precursor may beflowed in order to form a nucleation layer. Finally, at an elevated temperature, the group III precursor and group V precursor may beflowed in order to form a bulk III-V layer.
(FR) La présente invention décrit des techniques de formation d’une couche épitaxique III-V sur un substrat. Dans une chambre de prénettoyage, une couche d’oxygène native peut être remplacée par une couche de passivation en traitant le substrat avec du plasma d’hydrogène (ou des produits d’une décomposition de plasma). Dans une chambre de dépôt, la température du substrat peut être élevée à une température inférieure à 700 °C. Lorsque la température du substrat est élevée, un précurseur du groupe V peut être injecté dans la chambre de dépôt afin de transformer la surface à terminaison d’hydrogène (Si-H) de la couche de passivation en une surface à terminaison d’arsenic (Si-As). Après le refroidissement du substrat, un précurseur du groupe III et le précurseur du groupe V peuvent être injectés afin de former une couche de nucléation. Enfin, à une température élevée, le précurseur du groupe III et le précurseur du groupe V peuvent être injectés afin de former une couche de base III-V.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)