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1. (WO2017173727) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN SUBSTRAT MATRICIEL À BASE DE LTPS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/173727 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/085491
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 12.06.2016
CIB :
H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
武汉华星光电技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 东湖开发区高新大道666号生物城C5栋谭玉 TAN, Yu Building C5, Biolake of Optics Valley, No.666 Gaoxin Avenue East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430079, CN
Inventeurs :
陈玉霞 CHEN, Yuxia; CN
贺超 HE, Chao; CN
Mandataire :
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY; 中国广东省深圳市 福田区深南大道6021号喜年中心A座1709-1711 Hailrun Complex Block A Room 1709-1711 No.6021 Shennan Blvd,Futian District ShenZhen, Guangdong 518040, CN
Données relatives à la priorité :
201610206147.505.04.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING LTPS ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN SUBSTRAT MATRICIEL À BASE DE LTPS
(ZH) 一种LTPS阵列基板的制造方法
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing a low-temperature poly-silicon (LTPS) array substrate; the LTPS array substrate comprises at least: a metal shielding layer (210), a buffer layer (220), an active layer (230), a gate insulating layer (240) and a gate layer (250). The manufacturing method uses the metal shielding layer as a photomask of the gate layer for use in patterning the gate layer, such that the width of a resulting gate pattern is smaller than the width of the metal shielding layer, and the vertical projection of the gate pattern completely falls into the range of the metal shielding layer. By utilizing the metal shielding layer as the photomask for use in patterning the gate layer, the present invention saves the costs for manufacturing a gate metal photomask, thereby saving the manufacturing costs of LTPS and simplifying manufacturing processes.
(FR) La présente invention concerne un procédé permettant de fabriquer un substrat matriciel à base de polysilicium à basse température (LTPS pour Low-Temperature Poly-Silicon); le substrat matriciel à base de LTPS comprend au moins : une couche de protection métallique (210), une couche tampon (220), une couche active (230), une couche d'isolation de grille (240) et une couche de grille (250). Le procédé de fabrication utilise la couche de protection métallique comme photomasque de la couche de grille destiné à être utilisé dans la formation de motifs sur la couche de grille de telle sorte que la largeur d'un motif de grille résultant soit plus petite que la largeur de la couche de protection métallique et la projection verticale du motif de grille tombe complètement dans la plage de la couche de protection métallique. En utilisant la couche de protection métallique comme photomasque destiné à être utilisé dans la formation de motifs sur la couche de grille, la présente invention économise les coûts de fabrication d'un photomasque de métal de grille, ce qui permet d'économiser les coûts de fabrication de LTPS et de simplifier des processus de fabrication.
(ZH) 一种低温多晶硅(LTPS)阵列基板的制造方法,该LTPS阵列基板至少包括金属遮挡层(210)、缓冲层(220)、有源层(230)、栅极绝缘层(240)和栅极层(250)。该制造方法是将金属遮挡层作为栅极层的光罩用以图案化该栅极层,使所获得的栅极图案的宽度小于该金属遮挡层的宽度,并且该栅极图案的垂直投影完全落入该金属遮挡层范围内。通过利用金属遮挡层作为光罩图案化栅极层,节省了栅极金属光罩的制作成本,从而节省了LTPS生产制作成本并简化了生产制程。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)