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1. (WO2017173712) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/173712 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/082609
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 19.05.2016
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
王美丽 WANG, Meili; CN
闫梁臣 YAN, Liangchen; CN
Mandataire :
中国专利代理(香港)有限公司 CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 中国香港特别行政区 湾仔港湾道23号鹰君中心22号楼 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201610206441.605.04.2016CN
Titre (EN) THIN-FILM TRANSISTOR, PRODUCTION METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
Abrégé :
(EN) Disclosed are a thin-film transistor, a production method thereof, an array substrate and a display device used to increase the on-state current of thin-film transistors and improve the current characteristics of thin-film transistors. The thin-film transistor comprises a substrate (01), a gate-insulating layer (03) disposed on the substrate (01), and a gate (04). A conductive layer (05) is also disposed between the gate-insulating layer (03) and the gate (04), wherein the projection area of the conductive layer (05) on the substrate (01) is larger than the projection area of the gate (04) on the substrate (01).
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces, son procédé de fabrication, un substrat matriciel et un dispositif d'affichage utilisés pour augmenter le courant à l'état passant de transistors à couches minces et pour améliorer les caractéristiques de courant de transistors à couches minces. Le transistor à couches minces comprend un substrat (01), une couche d'isolation de grille (03) disposée sur le substrat (01) et une grille (04). Une couche conductrice (05) est également disposée entre la couche d'isolation de grille (03) et la grille (04), l'aire de projection de la couche conductrice (05) sur le substrat (01) étant plus grande que l'aire de projection de la grille (04) sur le substrat (01).
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置,用以增大薄膜晶体管的开态电流,提高薄膜晶体管的电流特性。所述薄膜晶体管,包括衬底基板(01),设置在所述衬底基板(01)上的栅极绝缘层(03)和栅极(04);其中,在所述栅极绝缘层(03)与栅极(04)之间还设置有导电层(05);其中,所述导电层(05)在所述衬底基板(01)上的投影大于所述栅极(04)在所述衬底基板(01)上的投影。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)