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1. (WO2017173637) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR D'IMAGE RÉTROÉCLAIRÉ UTILISANT UNE ISOLATION PAR TRANCHÉE PROFONDE CÔTÉ ARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/173637    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/078740
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 07.04.2016
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : GALAXYCORE SHANGHAI LIMITED CORPORATION [CN/CN]; 11F, Building 2 No. 560 Shengxia Road, Pudong New Area Shanghai 201203 (CN)
Inventeurs : ZHAO, Lixin; (CN).
WANG, Yonggang; (CN).
LI, Jie; (CN)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No. 22 Jian Guo Men Wai Ave. Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING BACK-ILLUMINATED IMAGE SENSOR USING BACK-SIDE DEEP TRENCH ISOLATION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR D'IMAGE RÉTROÉCLAIRÉ UTILISANT UNE ISOLATION PAR TRANCHÉE PROFONDE CÔTÉ ARRIÈRE
(ZH) 采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a back-illuminated image sensor using back-side deep trench isolation. The method comprises: providing a device wafer, a first carrier wafer and a second carrier wafer; forming several deep trench isolation structures on a first surface of the device wafer; repairing defects of the deep trench isolation structures through a thermal process in a subsequent procedure; performing first wafer bonding on the first surface of the device wafer and the first carrier wafer, thinning the device wafer, forming a second surface of the device wafer, and making a device and a metal interconnect on this surface; and performing second wafer bonding on the first surface of the device wafer and the second carrier wafer to form a back-illuminated image sensor with back-side deep trench isolation structures. During the manufacturing process, deep trench isolation structures are formed first, and defects generated in the process of forming deep trench isolation are repaired selectively through a high-temperature thermal process in a subsequent procedure. Thus, dark current and white spots are reduced, and a level without deep trench isolation may be achieved.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image rétroéclairé utilisant une isolation par tranchée profonde côté arrière. Le procédé consiste : à prendre une tranche de dispositif, une première tranche de support et une seconde tranche de support ; à former plusieurs structures d'isolation par tranchée profonde sur une première surface de la tranche de dispositif ; réparer des défauts des structures d'isolation par tranchée profonde au moyen d'un processus thermique dans une procédure subséquente ; à effectuer un premier collage de tranches sur la première surface de la tranche de dispositif et la première tranche de support, à amincir la tranche de dispositif, à former une seconde surface de la tranche de dispositif, et à fabriquer un dispositif et une interconnexion métallique sur cette surface ; et à effectuer un second collage de tranches sur la première surface de la tranche de dispositif et la seconde tranche de support pour former un capteur d'image rétroéclairé à structures d'isolation par tranchée profonde côté arrière. Pendant le processus de fabrication, des structures d'isolation par tranchée profonde sont formées en premier, et des défauts générés dans le processus de formation des structures d'isolation par tranchée profonde sont réparés sélectivement au moyen d'un processus thermique à haute température dans une procédure subséquente. Ainsi, le courant d'obscurité et les points blancs sont réduits, et un niveau sans isolation par tranchée profonde peut être obtenu.
(ZH)一种背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法,包括:提供器件晶圆,第一承载晶圆和第二承载晶圆;于器件晶圆的第一面形成若干深沟槽隔离结构;通过后续工艺中的热过程修复所述深沟槽隔离结构的缺陷;器件晶圆的第一面与第一承载晶圆进行第一次晶圆键合,减薄器件晶圆,形成器件晶圆的第二面,并于该表面制作器件及金属互联;与第二承载晶圆进行第二次晶圆键合形成具有背面深沟槽隔离结构的背照式图像传感器。所述制作过程中,先形成深沟槽隔离结构,并可选择的在后续的工艺中采用高温热过程对深沟槽隔离形成过程中产生的缺陷进行修复,降低暗电流及白点,并可达到无深沟槽隔离的水平。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)