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1. (WO2017173637) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR D'IMAGE RÉTROÉCLAIRÉ UTILISANT UNE ISOLATION PAR TRANCHÉE PROFONDE CÔTÉ ARRIÈRE

Pub. No.:    WO/2017/173637    International Application No.:    PCT/CN2016/078740
Publication Date: Fri Oct 13 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Apr 08 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 27/146
Applicants: GALAXYCORE SHANGHAI LIMITED CORPORATION
格科微电子(上海)有限公司
Inventors: ZHAO, Lixin
赵立新
WANG, Yonggang
王永刚
LI, Jie
李杰
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR D'IMAGE RÉTROÉCLAIRÉ UTILISANT UNE ISOLATION PAR TRANCHÉE PROFONDE CÔTÉ ARRIÈRE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image rétroéclairé utilisant une isolation par tranchée profonde côté arrière. Le procédé consiste : à prendre une tranche de dispositif, une première tranche de support et une seconde tranche de support ; à former plusieurs structures d'isolation par tranchée profonde sur une première surface de la tranche de dispositif ; réparer des défauts des structures d'isolation par tranchée profonde au moyen d'un processus thermique dans une procédure subséquente ; à effectuer un premier collage de tranches sur la première surface de la tranche de dispositif et la première tranche de support, à amincir la tranche de dispositif, à former une seconde surface de la tranche de dispositif, et à fabriquer un dispositif et une interconnexion métallique sur cette surface ; et à effectuer un second collage de tranches sur la première surface de la tranche de dispositif et la seconde tranche de support pour former un capteur d'image rétroéclairé à structures d'isolation par tranchée profonde côté arrière. Pendant le processus de fabrication, des structures d'isolation par tranchée profonde sont formées en premier, et des défauts générés dans le processus de formation des structures d'isolation par tranchée profonde sont réparés sélectivement au moyen d'un processus thermique à haute température dans une procédure subséquente. Ainsi, le courant d'obscurité et les points blancs sont réduits, et un niveau sans isolation par tranchée profonde peut être obtenu.