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1. (WO2017173613) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PLANARISATION DE STRUCTURE DE TSV
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/173613 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/078656
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 07.04.2016
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC. [CN/CN]; Bld. 4, No. 1690 Cailun Road Zhangjiang High-Tech Park Shanghai 201203, CN
Inventeurs :
JIN, Yinuo; CN
DAI, Yingwei; CN
YANG, Guipu; CN
WANG, Jian; CN
WANG, Hui; CN
Mandataire :
SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TSV STRUCTURE PLANARIZATION PROCESS AND APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PLANARISATION DE STRUCTURE DE TSV
Abrégé :
(EN) A TSV structure planarization process and apparatus. The TSV structure includes a substrate (101), vias (102) formed in the substrate (101), an oxide layer (103) formed on the substrate (101), a barrier layer (104) formed on the oxide layer (103), bottom and sidewall of the vias (102), a metal layer (105) formed in the vias (102) and on the barrier layer (104).The TSV structure planarization process comprises: removing all metal layer formed on a non-recessed area of the substrate by a stress-free polishing process (301); and removing metal layer residual and the barrier layer on the non-recessed area by a chemical wet etch process (303) (305).
(FR) L'invention concerne un procédé et un appareil de planarisation de structure de TSV. La structure de TSV inclut un substrat (101), des interconnexions (102) formées dans le substrat (101), une couche d'oxyde (103) formée sur le substrat (101), une couche de barrière (104) formée sur la couche d'oxyde (103), des parois inférieures et latérales des interconnexions (102), une couche de métal (105) formée dans les interconnexions (102) et sur la couche de barrière (104). Le processus de planarisation de structure de TSV consiste : à retirer toute la couche de métal formée dans une zone non évidée du substrat par un processus de polissage sans contrainte (301); et à retirer la couche de métal résiduelle et la couche de barrière sur la zone non évidée par un processus de gravure humide chimique (303) (305).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)