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1. (WO2017173127) CIRCUIT D'ATTAQUE DE GÂCHETTE INTÉGRÉ POUR COMMANDE DE MOTEUR
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N° de publication : WO/2017/173127 N° de la demande internationale : PCT/US2017/025107
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 30.03.2017
CIB :
G05B 7/00 (2006.01) ,H02P 4/00 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED[US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474, US
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED[JP/JP]; 24-1, Nishi-shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-8366, JP (JP)
Inventeurs : OLJACA, Miroslav; US
SINGH, Ajinder; US
PITHADIA, Sanjay; IN
Mandataire : DAVIS, Michael, A., Jr.; US
PESSETTO, John, R.; US
Données relatives à la priorité :
15/355,53318.11.2016US
62/315,14530.03.2016US
Titre (EN) INTEGRATED GATE DRIVER FOR MOTOR CONTROL
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DE GÂCHETTE INTÉGRÉ POUR COMMANDE DE MOTEUR
Abrégé : front page image
(EN) In described examples, an integrated gate driver for motor control includes: a first diode (Dl) coupled to an upper rail and providing a voltage on a first connector (314); and a power amplifier (306) coupled between the first connector (314) and a second connector (316) that can be coupled to a source of a high-side power transistor (302). The power amplifier (306) receives a control signal (310) and provides an output signal to a second pin (318) for driving a gate of the high-side power transistor (302). A first integrated capacitor (CI) is coupled between the first and second connectors (314, 316), and an integrated charge pump (406) is coupled to supply a current to the first connector (314). The charge pump (406) includes a second integrated capacitor (C3) having a terminal coupled to a high frequency oscillator (402) and a terminal coupled through a second diode (D2) to the first connector (314) and a third diode (D3) coupled between the second connector (316) and a point between the second capacitor (C3) and the second diode (D2).
(FR) Des exemples de l'invention concernent un circuit d'attaque de gâchette intégré pour commande de moteur, comprenant : une première diode (D1) connectée à un rail supérieur et délivrant une tension sur un premier connecteur (314) ; et un amplificateur de puissance (306) connecté entre le premier connecteur (314) et un deuxième connecteur (316) qui peut être couplé connecté à une source d'un transistor de puissance (302) côté haut. L'amplificateur de puissance (306) reçoit un signal de commande (310) et délivre un signal de sortie à une deuxième broche (318) pour attaquer une gâchette du transistor de puissance (302) côté haut. Un premier condensateur intégré (CI) est connecté entre les premier et deuxième connecteurs (314, 316), et une pompe de charge intégrée (406) est connectée de manière à délivrer un courant au premier connecteur (314). La pompe de charge (406) comprend un deuxième condensateur intégré (C3) ayant une borne connectée à un oscillateur à haute fréquence (402) et une borne connectée au travers d'une deuxième diode (D2) au premier connecteur (314) et une troisième diode (D3) connectée entre le deuxième connecteur (316) et un point entre le deuxième condensateur (C3) et la deuxième diode (D2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)