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1. (WO2017172962) HÉTÉROSTRUCTURES DOUBLES À BASE DE CDTE ET DISPOSITIFS DE CONVERSION DE LUMIÈRE ASSOCIÉS

Pub. No.:    WO/2017/172962    International Application No.:    PCT/US2017/024814
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Thu Mar 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 31/0725
H01L 31/032
H01L 31/042
Applicants: ARIZONA BOARD OF REGENTS ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY
Inventors: ZHANG, Yong-Hang
BOCCARD, Mathieu
HOLMAN, Zachary
YUAN, Zhao
Title: HÉTÉROSTRUCTURES DOUBLES À BASE DE CDTE ET DISPOSITIFS DE CONVERSION DE LUMIÈRE ASSOCIÉS
Abstract:
L'invention concerne des dispositifs convertissant la lumière en électricité (tels que des cellules solaires ou des photodétecteurs) comprenant une couche de a-SiCy:H du type p fortement dopé et une hétérostructure double (DH) i-MgxCd1-xTe/n-CdTe/n-Mg0,24Cd0,76Te, présentant un rendement de conversion de puissance pouvant atteindre 17 %, une tension en circuit ouvert Voc pouvant atteindre 1,096 V, et dont toutes les caractéristiques de fonctionnement sont sensiblement meilleures que celles de cellules solaires monocrystallines connues à ce jour. La couche de a-SiCy:H est conçue pour permettre un potentiel cumulé élevé tout en permettant en même temps à l'absorbeur dopé de maintenir une très longue durée de vie de port. Par comparaison, des conceptions d'hétérostructures doubles CdTe/MgxCd1-xTe non dopées similaires révèlent une longue durée de vie de port de 3,6 µs et une vitesse de recombinaison d'interface de 1,2 cm/s, qui sont inférieures aux valeurs d'enregistrement rapportées pour des hétérostructures doubles GaAs/Al0,5Ga0,5As (18 cm/s) et GaAs/Ga0,5ln0,5P (1,5 cm/s).