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1. (WO2017172908) SOURCE ET CONTACT DE BASE COMBINÉS POUR UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP

Pub. No.:    WO/2017/172908    International Application No.:    PCT/US2017/024737
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Thu Mar 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/417
H01L 29/78
H01L 21/336
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
Inventors: DIX, Gregory
GRIMM, Dan
Title: SOURCE ET CONTACT DE BASE COMBINÉS POUR UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Abstract:
La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs. Les enseignements de l'invention peuvent être incarnés par des transistors à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur (MOSFET) et leurs procédés de fabrication. Certains modes de réalisation peuvent comprendre : la formation d'une base à l'intérieur d'une couche épitaxiale; l'implantation d'un implant source s'étendant dans la base, la couche épitaxiale, la base et l'implant source formant une surface plane continue; le dépôt d'une couche d'isolation sur la surface plane continue formant une grille en contact avec la couche épitaxiale et la base; l'ouverture d'une rainure de contact à travers la couche d'isolation pour exposer une partie centrale de l'implant source; le dépôt d'une couche de photorésine au-dessus de la couche d'isolation au-dessus de parties exposées de l'implant source; la formation de motifs sur un ensemble de bandes dans la photorésine, chaque bande étant perpendiculaire à la rainure de contact; la gravure du semi-conducteur avec une composition chimique de gravure propre à la couche d'isolation; et le remplissage de la rainure de contact avec un matériau conducteur créant une rainure de contact source-base atteignant, par l'intermédiaire de la couche d'isolation, la surface de l'implant source et comprenant une pluralité de sections espacées les unes des autres atteignant, par l'intermédiaire de l'implant source, la base.