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1. (WO2017172897) ARRÊT DE GRAVURE À MISE À NU DE CONTACT

Pub. No.:    WO/2017/172897    International Application No.:    PCT/US2017/024722
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Thu Mar 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 23/482
H01L 21/768
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
Inventors: GRIMM, Dan
DIX, Gregory
SCHROEDER, Rodney
Title: ARRÊT DE GRAVURE À MISE À NU DE CONTACT
Abstract:
La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs, et ses enseignements peuvent être mis en pratique dans des transistors à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET). Certains modes de réalisation peuvent comprendre un MOSFET de puissance comportant des cellules de transistor, chaque cellule comprenant une zone de source et une zone de drain; une première couche diélectrique disposée au-dessus des cellules de transistor; une couche d'oxyde riche en silicium sur la première couche diélectrique; des rainures à travers le diélectrique multicouche, chaque rainure se trouvant au-dessus d'une zone de source ou de drain respective et étant remplie d'un matériau conducteur; une seconde couche diélectrique au-dessus du diélectrique multicouche; des ouvertures dans la seconde couche diélectrique, chaque ouverture mettant à nu une zone de contact d'une rainure de la pluralité de rainures; et une couche métallique disposée au-dessus de la seconde couche diélectrique et remplissant les ouvertures. La couche métallique peut former au moins un fil métallique de drain et au moins un fil métallique de source. Le ou les fils métalliques de drain peuvent connecter deux zones de drain par l'intermédiaire de rainures respectives. Le ou les fils métalliques de source peuvent connecter deux zones de source par l'intermédiaire de rainures respectives. Chaque rainure présente une longueur s'étendant du ou des fils métalliques de drain au ou aux fils métalliques de source dans une paire adjacente.