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1. (WO2017172892) CROISSANCE DIRECTE DE NANOTUBES DE POLYANILINE SUR UN TISSU DE CARBONE POUR DES SUPERCONDENSATEURS FLEXIBLES ET À HAUTES PERFORMANCES
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N° de publication : WO/2017/172892 N° de la demande internationale : PCT/US2017/024716
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 29.03.2017
CIB :
H01G 11/34 (2013.01) ,H01G 11/36 (2013.01) ,H01G 11/86 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
11
Condensateurs hybrides, c. à d. ayant des électrodes positive et négative différentes; Condensateurs électriques à double couche [EDL]; Procédés de fabrication desdits condensateurs ou de leurs composants
22
Électrodes
30
caractérisées par leur matériau
32
à base de carbone
34
caractérisées par la carbonisation ou l’activation de carbone
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
11
Condensateurs hybrides, c. à d. ayant des électrodes positive et négative différentes; Condensateurs électriques à double couche [EDL]; Procédés de fabrication desdits condensateurs ou de leurs composants
22
Électrodes
30
caractérisées par leur matériau
32
à base de carbone
36
Nanostructures, p.ex. nanofibres, nanotubes ou fullerènes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
11
Condensateurs hybrides, c. à d. ayant des électrodes positive et négative différentes; Condensateurs électriques à double couche [EDL]; Procédés de fabrication desdits condensateurs ou de leurs composants
84
Procédés de fabrication de condensateurs hybrides ou EDL ou de leurs composants
86
spécialement adaptés pour les électrodes
Déposants :
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, Twelfth Floor Oakland, California 94607-5200, US
Inventeurs :
KANER, Richard, B.; US
EL-KADY, Maher, F.; US
MOUSAVI, Mir, Fazlollah; IR
HASHEMI, Masumeh; IR
RAHMANIFAR, Mohammad, S.; IR
Mandataire :
WITHROW, Benjamin, S.; US
Données relatives à la priorité :
62/317,12001.04.2016US
Titre (EN) DIRECT GROWTH OF POLYANILINE NANOTUBES ON CARBON CLOTH FOR FLEXIBLE AND HIGH-PERFORMANCE SUPERCAPACITORS
(FR) CROISSANCE DIRECTE DE NANOTUBES DE POLYANILINE SUR UN TISSU DE CARBONE POUR DES SUPERCONDENSATEURS FLEXIBLES ET À HAUTES PERFORMANCES
Abrégé :
(EN) The present disclosure further provides an exemplary energy storage device fabricated from rectangular-tube polyaniline (PANI) that is chemically synthesized by a simple and convenient method. The rectangular-tube PANI, as an active material, is synthesized on a functionalized carbon cloth (FCC) as a substrate, and the obtained composite is immobilized on a stainless steel mesh as a current collector. The present disclosure additionally presents a facile technique for the direct synthesis of PANI nanotubes, with rectangular pores, on chemically activated CC.
(FR) La présente invention concerne en outre un exemple de dispositif de stockage d'énergie fabriqué à partir d'une polyaniline (PANI) à tube rectangulaire qui est synthétisée chimiquement par un procédé simple et commode. La PANI à tube rectangulaire, en tant que matériau actif, est synthétisée sur un tissu de carbone fonctionnalisé (FCC) en tant que substrat, et le composite obtenu est immobilisé sur un treillis en acier inoxydable en tant que collecteur de courant. La présente invention concerne également une technique facile pour la synthèse directe de nanotubes de PANI, avec des pores rectangulaires, sur un CC activé chimiquement.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)