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1. (WO2017172833) APPROCHES DE SOUDAGE PAR THERMOCOMPRESSION POUR MÉTALLISATION PAR FEUILLE DE SURFACES NON MÉTALLIQUES DE PHOTOPILES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/172833    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/024625
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 28.03.2017
CIB :
H01L 31/05 (2006.01), H01L 31/0368 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 77 Rio Robles San Jose, California 95134 (US).
TOTAL MARKETING SERVICES [FR/FR]; 24 Cours Michelet 92800 Puteaux (FR)
Inventeurs : SEWELL, Richard Hamilton; (US).
HARLEY, Gabriel; (US).
HARDER, Nils-Peter; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; (US).
BRASK, Justin K.; (US).
BERNADICOU, Michael A.; (US).
MALLIE, Michael J.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/089,401 01.04.2016 US
Titre (EN) THERMOCOMPRESSION BONDING APPROACHES FOR FOIL-BASED METALLIZATION OF NON-METAL SURFACES OF SOLAR CELLS
(FR) APPROCHES DE SOUDAGE PAR THERMOCOMPRESSION POUR MÉTALLISATION PAR FEUILLE DE SURFACES NON MÉTALLIQUES DE PHOTOPILES
Abrégé : front page image
(EN)Thermocompression bonding approaches for foil-based metallization of non-metal surfaces of solar cells, and the resulting solar cells, are described. For example, a solar cell includes a substrate and a plurality of alternating N-type and P-type semiconductor regions disposed in or above the substrate. A plurality of conductive contact structures is electrically connected to the plurality of alternating N-type and P-type semiconductor regions. Each conductive contact structure includes a metal foil portion disposed in direct contact with a corresponding one of the alternating N-type and P-type semiconductor regions.
(FR)L'invention porte sur des approches de soudage par thermocompression pour métallisation par feuille de photopiles, et sur les photopiles ainsi obtenues. Par exemple, une photopile comprend un substrat et une pluralité de zones semi-conductrices du type N et du type P alternées disposées à l'intérieur ou au-dessus du substrat. Une pluralité de structures de contact conductrices sont électriquement connectées à la pluralité de zones semi-conductrices du type N et du type N alternées. Chaque structure de contact conductrice comprend une partie de feuille métallique disposée en contact direct avec une zone correspondante parmi les zones semi-conductrices du type N et du type P alternées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)