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1. (WO2017172748) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE CHARGEMENT DE SILICIUM DÉPOUSSIÉRÉ DANS UN VIDE

Pub. No.:    WO/2017/172748    International Application No.:    PCT/US2017/024512
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Wed Mar 29 01:59:59 CEST 2017
IPC: C01B 33/021
B65G 53/04
Applicants: SITEC GMBH
Inventors: DASSEL, Mark, W.
KERAT, Uwe
Title: SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE CHARGEMENT DE SILICIUM DÉPOUSSIÉRÉ DANS UN VIDE
Abstract:
L'invention concerne un système et un procédé de production de cristaux qui maintiennent un vide poussé et pendant une phase de fusion et pendant une phase de chargement et permettent une suppression améliorée de la poussière. Dans de tels système et procédé, une cuve d'alimentation en particules et un creuset situé à l'intérieur d'une chambre de fusion sont reliés fluidiquement. Des granules de silicium sont transportés de la cuve d'alimentation en particules au creuset situé à l'intérieur de la chambre de fusion. Les granules de silicium sont ensuite fondus dans le creuset situé à l'intérieur de la chambre de fusion. Les particules de poussière sont supprimées par chargement du silicium fondu sous vide poussé. Le chargement peut se produire pendant l'exécution d'une purge gazeuse, avec limitation d'une purge gazeuse, ou pendant que toute purge gazeuse est empêchée dans la chambre de fusion. Le dopage peut se produire, par exemple dans la chambre de chargement ou dans le creuset par ajout d'un dopant sous formes particulaires ou gazeuses.