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1. (WO2017172745) RÉACTEUR À LIT FIXE VIBRANT MÉCANIQUEMENT ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2017/172745 N° de la demande internationale : PCT/US2017/024509
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 28.03.2017
CIB :
H01L 21/67 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants :
SITEC GMBH [DE/DE]; Buergermeister-Wegele-Strasse 12 86167 Augsburg, DE
Inventeurs :
DASSEL, Mark, W.; US
VANDEVANTER, Michael; US
Mandataire :
ABRAMONTE, Frank; US
KUMABE, Blake, K.; US
SOLTANI, Bobby, B.; US
SARGEANT, Brooke; US
QUIST, Brooke, W.; US
ROTH, Carol, J.; US
EIDT, Chandra, E.; US
O'BRIEN, Daniel; US
CARLSON, David, V.; US
STARK, Duncan; US
TARLETON, E., Russell; US
SUN, Eileen, S.; US
HARWOOD, Eric, A.; US
OBEIDAT, Baha, A.; US
HAN, Hai; US
TALBERT, Hayley, J.; US
CARTER, James, J.; US
WHITE, James, A. D.; US
BARRETT, Jared, M.; US
PEPE, Jeffrey, C.; US
DANLEY, Jeffrey, E.; US
SAKOI, Jeffrey, M.; US
BAUNACH, Jeremiah, J.; US
KARLEN, John, R.; US
MORGAN, John, A.; US
WAKELEY, John, J.; US
COE, Justin, E.; US
HENCKEL, Karen, M.; US
HEFTER, Karl, A.; US
HERMANNS, Karl, R.; US
MORGAN, Kevan, L.; US
COSTANZA, Kevin, S.; US
LINFORD, Lorraine; US
COOPER, Michael, P.; US
RUSYN, Paul; US
LIN, Qing; US
HALLER, Rachel, A.; US
IANNUCCI, Robert; US
KOVELMAN, Robert, L.; US
WEBB, Samuel, E.; US
LEEK, Shoko, I.; US
ROSENMAN, Stephen, J.; US
ABEDI, Syed; US
SATAGAJ, Thomas, J.; US
BOLLER, Timothy, L.; US
LIGON, Toby, J.; US
FERRON, William, O., Jr.; US
Données relatives à la priorité :
62/315,50530.03.2016US
Titre (EN) MECHANICALLY VIBRATED PACKED BED REACTOR AND RELATED METHODS
(FR) RÉACTEUR À LIT FIXE VIBRANT MÉCANIQUEMENT ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) Mechanically vibrated packed bed reactor systems and processes of crystal production systems and processes that provide large, dense, uniform silicon coated particles having very low levels of contaminants such as metals and oxygen while such systems and processes minimize or eliminate dusting. These silicon coated particles are produced, conveyed, and formed into crystals in an environment maintained at a low oxygen level or a very low oxygen level and a low contaminant level or very low contaminant level to minimize formation of silicon oxides and minimize deposition of contaminants on the coated particles. Such high purity coated silicon particles may not require classification and may be used in whole or in part in the crystal production systems and processes. The crystal production systems and processes and resultant high quality of silicon boules are improved by the reduction or elimination of the silicon oxide layer and contaminants on the coated particles.
(FR) L'invention concerne des systèmes de réacteur à lit fixe vibrant mécaniquement et des processus de systèmes de production de cristaux ainsi que des processus qui permettent d'obtenir des particules revêtues de silicium uniformes, de grande taille, denses présentant de très faibles niveaux de contaminants de type métaux et oxygène; lesdits systèmes et processus réduisant au minimum ou éliminant la formation de poussière. Lesdites particules revêtues de silicium sont produites, transportées et formées en cristaux dans un environnement maintenu à un faible niveau d'oxygène, voire à un très faible niveau d'oxygène, et à un faible niveau de contaminants, voire à un très faible niveau de contaminants, afin de réduire au minimum la formation d'oxydes de silicium et de réduire au minimum le dépôt de contaminants sur les particules revêtues. Lesdites particules revêtues de silicium à haute pureté peuvent ne pas nécessiter de classification et peuvent être utilisées totalement ou partiellement dans les systèmes et processus de production de cristaux. Les systèmes et processus de production de cristaux et la qualité élevée ainsi obtenue des boules de silicium produites sont améliorés par la réduction ou l'élimination de la couche d'oxyde de silicium et de contaminants sur les particules revêtues.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)