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1. (WO2017172533) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR TRAITER UNE STRUCTURE DE NITRURE SANS DÉPÔT DE SILICE
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N° de publication : WO/2017/172533 N° de la demande internationale : PCT/US2017/024128
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 24.03.2017
CIB :
H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.[US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (JP)
Inventeurs : BASSETT, Derek; US
PRINTZ, Wallace P.; US
ROTONDARO, Antonio L.P.; US
MINAMI, Teruomi; JP
FURUKAWA, Takahiro; JP
Mandataire : DAVIDSON, Kristi, L.; US
Données relatives à la priorité :
15/467,93923.03.2017US
15/467,97323.03.2017US
62/315,55930.03.2016US
62/315,63230.03.2016US
Titre (EN) PROCESS AND APPARATUS FOR PROCESSING A NITRIDE STRUCTURE WITHOUT SILICA DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR TRAITER UNE STRUCTURE DE NITRURE SANS DÉPÔT DE SILICE
Abrégé : front page image
(EN) Techniques are provided to remove the growth of colloidal silica deposits on surfaces of high aspect ratio structures during silicon nitride etch steps. A high selectivity overetch step is used to remove the deposited colloidal silica. The disclosed techniques include the use of phosphoric acid to remove silicon nitride from structures having silicon nitride formed in narrow gap or trench structures having high aspect ratios in which formation of colloidal silica deposits on a surface of the narrow gap or trench through a hydrolysis reaction occurs. A second etch step is used in which the hydrolysis reaction which formed the colloidal silica deposits is reversible, and with the now lower concentration of silica in the nearby phosphoric acid due to the depletion of the silicon nitride, the equilibrium drives the reaction in the reverse direction, dissolving the deposited silica back into solution.
(FR) L'invention concerne des techniques pour éliminer la croissance de dépôts de silice colloïdale sur des surfaces de structures à grand rapport de forme pendant des étapes de gravure de nitrure de silicium. Une étape de surgravure à haute sélectivité est utilisée pour éliminer la silice colloïdale déposée. Les techniques décrites comprennent l'utilisation d'acide phosphorique pour éliminer le nitrure de silicium de structures comportant du nitrure de silicium formé dans des structures de trou étroit ou de tranchée étroite ayant de grands rapports de forme dans lesquelles une formation de dépôts de silice colloïdale sur une surface du trou étroit ou de la tranchée étroite se produit par une réaction d'hydrolyse. Une seconde étape de gravure est utilisée dans laquelle la réaction d'hydrolyse qui a formé les dépôts de silice colloïdale est inversée, et avec la concentration de silice désormais inférieure dans l'acide phosphorique avoisinant en raison de la déplétion du nitrure de silicium, l'équilibre entraîne la réaction dans le sens inverse, redissolvant en solution la silice déposée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)