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1. (WO2017172230) COMMANDE D'ACTIVATION SENSIBLE AUX FUITES D'UN CIRCUIT DE MAINTIEN RETARDÉ POUR UNE OPÉRATION DE LECTURE DYNAMIQUE DANS UNE CELLULE BINAIRE DE MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2017/172230    International Application No.:    PCT/US2017/020351
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Mar 03 00:59:59 CET 2017
IPC: G11C 11/419
G11C 7/06
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED
Inventors: ATALLAH, Francois, Ibrahim
NGUYEN, Hoan, Huu
BOWMAN, Keith, Alan
Title: COMMANDE D'ACTIVATION SENSIBLE AUX FUITES D'UN CIRCUIT DE MAINTIEN RETARDÉ POUR UNE OPÉRATION DE LECTURE DYNAMIQUE DANS UNE CELLULE BINAIRE DE MÉMOIRE
Abstract:
L'invention concerne la commande d'activation sensible aux fuites d'un circuit de maintien retardé pour une opération de lecture dynamique dans une cellule binaire de mémoire. Selon un aspect, un circuit de commande d'activation sensible aux fuites est prévu pour un circuit de lecture dynamique configuré pour effectuer des opérations de lecture sur une cellule binaire de mémoire. Afin d'empêcher ou d'atténuer un conflit entre le circuit de maintien retardé et un circuit de port de lecture dans le circuit de lecture dynamique amenant un code dynamique à des niveaux de tension opposés lorsqu'une opération de lecture est déclenchée, le circuit de commande d'activation sensible aux fuites est configuré pour commander de manière adaptative la synchronisation d'activation du circuit de maintien retardé d'après une comparaison du courant de fuite du transistor à effet de champ de type N (NFET) avec un courant de fuite FET de type P (PFET). De cette manière, le circuit de commande d'activation sensible aux fuites peut ajuster de manière adaptative la synchronisation d'activation du circuit de maintien retardé d’après les intensités relatives réelles des NFET et des PFET.