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1. (WO2017172158) MÉTROLOGIE INTÉGRÉE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT POUR UNE CONTRAINTE LOCALE DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET UNE CORRECTION DE RECOUVREMENT
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N° de publication : WO/2017/172158 N° de la demande internationale : PCT/US2017/019654
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 27.02.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
GODET, Ludovic; US
VAEZ-IRAVANI, Mehdi; US
EGAN, Todd; US
BANGAR, Mangesh; US
RICCOBENE, Concetta; US
KHAJA, Abdul, Aziz; US
NEMANI, Srinivas, D.; US
YIEH, Ellie, Y.; US
KANG, Sean, S.; US
Mandataire :
PATTERSON, B., Todd; US
TABOADA, Keith; US
Données relatives à la priorité :
62/314,96229.03.2016US
Titre (EN) INTEGRATED METROLOGY AND PROCESS SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE LOCAL STRESS AND OVERLAY CORRECTION
(FR) MÉTROLOGIE INTÉGRÉE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT POUR UNE CONTRAINTE LOCALE DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET UNE CORRECTION DE RECOUVREMENT
Abrégé :
(EN) Embodiments of the disclosure provide an integrated system for performing a measurement process and a lithographic overlay error correction process on a semiconductor substrate in a single processing system. In one embodiment, a processing system includes at least a load lock chamber, a transfer chamber coupled to the load lock chamber, an ion implantation processing chamber coupled to or in the transfer chamber, and a metrology tool coupled to the transfer chamber, wherein the metrology tool is adapted to obtain stress profile or an overlay error on a substrate disposed in the metrology tool.
(FR) L'invention porte, dans des modes de réalisation, sur un système intégré permettant de réaliser un processus de mesure et un processus de correction d'erreur de recouvrement lithographique sur un substrat semi-conducteur dans un système de traitement unique. Selon un mode de réalisation, un système de traitement comprend au moins une chambre de verrouillage de charge, une chambre de transfert couplée à la chambre de verrouillage de charge, une chambre de traitement d'implantation ionique couplée à la chambre de transfert, ou dans cette dernière, et un outil de métrologie couplé à la chambre de transfert, l'outil de métrologie étant conçu pour obtenir un profil de contrainte ou une erreur de recouvrement sur un substrat disposé dans l'outil de métrologie.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)