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1. (WO2017172154) PROCÉDÉS ET STRUCTURES POUR LA FORMATION DE LIGNES DE TRANSMISSION MICRORUBAN SUR DES TRANCHES CARBURE DE SILICIUM SUR ISOLANT (SICOI) MINCES
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N° de publication : WO/2017/172154 N° de la demande internationale : PCT/US2017/019575
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 27.02.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H01P 3/08 (2006.01) ,H01P 11/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
P
GUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
3
Guides d'ondes; Lignes de transmission du type guide d'ondes
02
à deux conducteurs longitudinaux
08
Microrubans; Triplaques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
P
GUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
11
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de guides d'ondes, résonateurs, lignes ou autres dispositifs du type guide d'ondes
Déposants :
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
Inventeurs :
LAROCHE, Jeffrey, R.; US
IP, Kelly, P.; US
KAZIOR, Thomas, E.; US
Mandataire :
MOFFORD, Donald, F.; US
ROBINSON, Kermit; US
DURKEE, Paul, D.; US
MILMAN, Seth, A.; US
MOOSEY, Anthony, T.; US
DALY, Christopher, S.; US
LANGE, Kristoffer, W.; US
CROOKER, Albert, C.; US
CROWLEY, Judith, C.; US
DOWNING, Marianne, M.; US
THOMAS, William, R.; US
WHITE, James, M.; US
FLINDERS, Matthew; US
Données relatives à la priorité :
15/082,50028.03.2016US
Titre (EN) METHODS AND STRUCTURES FOR FORMING MICROSTRIP TRANSMISSION LINES ON THIN SILICON CARBIDE ON INSULATOR (SiCOI) WAFERS
(FR) PROCÉDÉS ET STRUCTURES POUR LA FORMATION DE LIGNES DE TRANSMISSION MICRORUBAN SUR DES TRANCHES CARBURE DE SILICIUM SUR ISOLANT (SICOI) MINCES
Abrégé :
(EN) A method for providing a semiconductor structure includes: providing a structure having: layer comprising silicon, such as a layer of silicon or silicon carbide; a bonding structure; and silicon layer, the bonding structure being disposed between the layer comprising silicon and the silicon layer, the silicon layer being thicker than the layer comprising silicon; and, a Group III-V layer disposed on an upper surface of the layer comprising silicon; forming a Group III-V device in the III-V layer and a strip conductor connected to the device; removing silicon layer and the bonding structure to expose a bottom surface of layer comprising silicon; and forming a ground plane conductor on the exposed bottom surface of the layer comprising silicon to provide, with the strip conductor and the ground plane conductor, a microstrip transmission line.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une structure semi-conductrice, comprenant : la préparation d'une structure comportant : une couche contenant du silicium, telle qu'une couche de silicium ou de carbure de silicium; une structure de collage; et une couche de silicium, la structure de collage étant disposée entre la couche contenant du silicium et la couche de silicium, la couche de silicium étant plus épaisse que la couche contenant du silicium; et une couche du groupe III-V disposée sur une surface supérieure de la couche contenant du silicium; la formation d'un dispositif du groupe III-V dans la couche III-V et d'un conducteur ruban connecté au dispositif; l'élimination de la couche de silicium et de la structure de collage pour mettre à nu une surface inférieure de la couche contenant du silicium; et la formation d'un conducteur de plan de masse sur la surface inférieure mise à nu de la couche contenant du silicium pour constituer, avec le conducteur ruban et le conducteur de plan de masse, une ligne de transmission microruban.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)