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1. (WO2017172150) SCHÉMA D'AJUSTEMENT DE LIGNE DE MOT

Pub. No.:    WO/2017/172150    International Application No.:    PCT/US2017/019488
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Feb 25 00:59:59 CET 2017
IPC: G11C 8/08
G11C 11/413
G11C 11/418
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED
Inventors: SAHU, Rahul
GUPTA, Sharad Kumar
Title: SCHÉMA D'AJUSTEMENT DE LIGNE DE MOT
Abstract:
L'invention concerne une mémoire et son procédé d'exploitation. La mémoire comprend une cellule de mémoire à transistor et un circuit d'attaque de ligne de mot produisant une ligne de mot couplée à la cellule de mémoire. Le circuit d'attaque de ligne de mot ajuste un niveau de tension de la ligne de mot pour compenser un paramètre du transistor. Le procédé consiste à activer une tension de ligne de mot pour accéder à une cellule de mémoire à transistor et ajuster la tension de ligne de mot pour compenser un paramètre du transistor. L’invention concerne une autre mémoire. La mémoire comprend une cellule de mémoire et un circuit d'attaque de ligne de mot produisant une ligne de mot couplée à la cellule de mémoire. Le circuit d'attaque de ligne de mot ajuste un niveau de tension de la ligne de mot en fonction d'une rétroaction de la ligne de mot.