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1. (WO2017172118) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION D'EFFACEMENT AVANT LA PROGRAMMATION D'UN DISPOSITIF DE STOCKAGE
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N° de publication : WO/2017/172118 N° de la demande internationale : PCT/US2017/018806
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 22.02.2017
CIB :
G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/08 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34
Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
08
Circuits d'adressage; Décodeurs; Circuits de commande de lignes de mots
Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway Suite 325 Plano, TX 75024, US
Inventeurs :
YANG, Nian, Niles; US
YIP, Chris; US
SHAH, Grishma; US
Mandataire :
PENN, Amir, N.; US
Données relatives à la priorité :
15/084,10029.03.2016US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR ERASE DETECTION BEFORE PROGRAMMING OF A STORAGE DEVICE
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION D'EFFACEMENT AVANT LA PROGRAMMATION D'UN DISPOSITIF DE STOCKAGE
Abrégé :
(EN) Systems and methods for detecting program disturb and for programming/reading based on the detected program disturb are disclosed. Program disturb comprises unintentionally programming an unselected section of memory during the program operation of the selected section of memory. To reduce the effect of program disturb, the section of memory is analyzed in a predetermined state (such as the erase state) for program disturb. In response to identifying signs of program disturb, the voltages used to program the section of memory (such as the program verify levels for programming data into the cells of the section of memory) may be adjusted. Likewise, when reading data from the section of memory, the read voltages may be adjusted based on the adjusted voltages used for programming. In this way, using the adjusted programming and reading voltages, the effect of program disturb may be reduced.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés pour détecter une perturbation de programme et pour programmer/lire sur la base de la perturbation de programme détectée. Une perturbation de programme comprend la programmation non intentionnelle d'une section de mémoire non sélectionnée pendant le fonctionnement du programme de la section de mémoire sélectionnée. Pour réduire l'effet de perturbation de programme, la section de mémoire est analysée dans un état prédéterminé (tel que l'état d'effacement) pour trouver une perturbation de programme. En réponse à l'identification de signes de perturbation de programme, les tensions utilisées pour programmer la section de mémoire (telle que les niveaux de vérification de programme pour programmer des données dans les cellules de la section de mémoire) peuvent être ajustées. De même, pendant la lecture de données dans la section de mémoire, les tensions de lecture peuvent être ajustées sur la base des tensions ajustées utilisées pour la programmation. De cette manière, à l'aide des tensions de programmation et de lecture ajustées, l'effet de perturbation de programme peut être réduit.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)