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1. (WO2017172075) DISPOSITIFS DE RÉSONATEUR ACOUSTIQUE EN VOLUME À FILM INTÉGRÉS À BOÎTIER PIÉZOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2017/172075 N° de la demande internationale : PCT/US2017/017703
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 13.02.2017
CIB :
H03H 3/02 (2006.01) ,H03H 9/58 (2006.01) ,H03H 9/02 (2006.01) ,H03H 3/007 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
02
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
54
comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
58
Filtres à cristaux multiples
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
[IPC code unknown for H03H 3/07]
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
NAIR, Vijay K.; US
EID, Feras; US
ELSHERBINI, Adel A.; US
KAMGAING, Telesphor; US
DOGIAMIS, Georgios C.; US
RAO, Valluri R.; US
SWAN, Johanna M.; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
15/089,00101.04.2016US
Titre (EN) PIEZOELECTRIC PACKAGE-INTEGRATED FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR DEVICES
(FR) DISPOSITIFS DE RÉSONATEUR ACOUSTIQUE EN VOLUME À FILM INTÉGRÉS À BOÎTIER PIÉZOÉLECTRIQUE
Abrégé :
(EN) Embodiments of the invention include a piezoelectric package integrated filtering device that includes a film stack. In one example, the film stack includes a first electrode, a piezoelectric material in contact with the first electrode, and a second electrode in contact with the piezoelectric material. The film stack is suspended with respect to a cavity of an organic substrate having organic material and the film stack generates an acoustic wave to be propagated across the film stack in response to an application of an electrical signal between the first and second electrodes.
(FR) Des modes de réalisation de l'invention comprennent un dispositif de filtrage intégré à boîtier piézoélectrique qui comprend un empilement de films. Dans un exemple, l'empilement de films comprend une première électrode, un matériau piézoélectrique en contact avec la première électrode, et une seconde électrode en contact avec le matériau piézoélectrique. L'empilement de films est suspendu par rapport à une cavité d'un substrat organique ayant un matériau organique et l'empilement de films génère une onde acoustique devant être propagée à travers l'empilement de films en réponse à l'application d'un signal électrique entre les première et seconde électrodes.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)