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1. (WO2017172071) COMMANDE DE TAILLE DE CELLULE DE MÉMOIRE DANS UNE MÉMOIRE NON VOLATILE TRIDIMENSIONNELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/172071    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/017626
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 13.02.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : MELIK-MARTIROSIAN, Ashot; (US).
SAENZ, Juan; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; (US)
Données relatives à la priorité :
15/087,980 31.03.2016 US
Titre (EN) CONTROLLING MEMORY CELL SIZE IN THREE DIMENSIONAL NONVOLATILE MEMORY
(FR) COMMANDE DE TAILLE DE CELLULE DE MÉMOIRE DANS UNE MÉMOIRE NON VOLATILE TRIDIMENSIONNELLE
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided that includes forming a vertical bit line disposed in a first direction above a substrate, forming a multi-layer word line disposed in a second direction above the substrate, the second direction perpendicular to the first direction, and forming a memory cell including a nonvolatile memory material at an intersection of the vertical bit line and the multi-layer word line. The multi-layer word line includes a first conductive material layer and a second conductive material layer disposed above the first conductive material layer. The memory cell includes a working cell area encompassed by an intersection of the first conductive material layer and the nonvolatile memory material.
(FR)L'invention concerne un procédé qui consiste à former une ligne de bits verticale disposée dans une première direction au-dessus d'un substrat, à former une ligne de mots multicouche disposée dans une seconde direction au-dessus du substrat, la seconde direction étant perpendiculaire à la première direction, et à former une cellule de mémoire comprenant un matériau de mémoire non-volatile au niveau d'une intersection de la ligne de bits verticale et de la ligne de mots multicouche. La ligne de mots multicouche comprend une première couche de matériau conducteur et une seconde couche de matériau conducteur disposée au-dessus de la première couche de matériau conducteur. La cellule de mémoire comprend une zone de cellule de travail entourée par une intersection de la première couche de matériau conducteur et du matériau de mémoire non volatile.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)