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1. (WO2017172071) COMMANDE DE TAILLE DE CELLULE DE MÉMOIRE DANS UNE MÉMOIRE NON VOLATILE TRIDIMENSIONNELLE

Pub. No.:    WO/2017/172071    International Application No.:    PCT/US2017/017626
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Feb 14 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 45/00
H01L 27/24
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventors: MELIK-MARTIROSIAN, Ashot
SAENZ, Juan
Title: COMMANDE DE TAILLE DE CELLULE DE MÉMOIRE DANS UNE MÉMOIRE NON VOLATILE TRIDIMENSIONNELLE
Abstract:
L'invention concerne un procédé qui consiste à former une ligne de bits verticale disposée dans une première direction au-dessus d'un substrat, à former une ligne de mots multicouche disposée dans une seconde direction au-dessus du substrat, la seconde direction étant perpendiculaire à la première direction, et à former une cellule de mémoire comprenant un matériau de mémoire non-volatile au niveau d'une intersection de la ligne de bits verticale et de la ligne de mots multicouche. La ligne de mots multicouche comprend une première couche de matériau conducteur et une seconde couche de matériau conducteur disposée au-dessus de la première couche de matériau conducteur. La cellule de mémoire comprend une zone de cellule de travail entourée par une intersection de la première couche de matériau conducteur et du matériau de mémoire non volatile.