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1. (WO2017172070) BOÎTIER DE SORTANCE DE NIVEAU TRANCHE SANS BOSSE
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N° de publication : WO/2017/172070 N° de la demande internationale : PCT/US2017/017486
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 10.02.2017
CIB :
H01L 23/525 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525
avec des interconnexions modifiables
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
ALTERA CORPORATION [US/US]; 101 Innovation Drive San Jose, California 95134, US
Inventeurs :
SHEN, Minghao; US
Mandataire :
OSTERHAUS, Matthew G.; US
FLETCHER, Michael G.; US
YODER, Patrick S.; US
MANWARE, Robert A.; US
POWELL, W. Allen; US
SWANSON, Tait R.; US
RARIDEN, John M.; US
SINCLAIR, JR., Steven J.; US
DOOLEY, Matthew C.; US
KANTOR, Andrew L.; US
HENWOOD, Matthew C.; US
Données relatives à la priorité :
15/087,90731.03.2016US
Titre (EN) A BUMPLESS WAFER LEVEL FAN-OUT PACKAGE
(FR) BOÎTIER DE SORTANCE DE NIVEAU TRANCHE SANS BOSSE
Abrégé :
(EN) An integrated circuit package may include a first conductive pad on an interposer substrate, and a second conductive pad formed on a front surface of an integrated circuit die. The second conductive pad may directly contact the first conductive pad on the interposer substrate. The integrated circuit package may further include a package substrate having a cavity, in which the interposer substrate and the integrated circuit are disposed in the cavity. The interposer substrate may include interconnect pathways that are electrically coupled to the first and second conductive pads. A heat spreader may subsequently form over the integrated circuit die and the package substrate.
(FR) Cette invention concerne un boîtier de circuit intégré, comprenant éventuellement une première pastille conductrice sur un substrat d'interposeur, et une seconde pastille conductrice formée sur une surface avant d'une puce de circuit intégré. La seconde pastille conductrice peut être directement en contact avec la première pastille conductrice sur le substrat d'interposeur. Le boîtier de circuit intégré peut en outre comprendre un substrat de boîtier possédant une cavité, le substrat d'interposeur et le circuit intégré étant disposés dans la cavité. Le substrat d'interposeur peut comprendre des chemins d'interconnexion qui sont électriquement couplés aux première et seconde pastilles conductrices. Un dissipateur thermique peut ensuite être formé sur la puce de circuit intégré et le substrat de boîtier.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)