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1. (WO2017172063) SUBSTRAT DE BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE INTERFACIALE
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N° de publication : WO/2017/172063 N° de la demande internationale : PCT/US2017/017241
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 09.02.2017
CIB :
H01L 23/525 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525
avec des interconnexions modifiables
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532
caractérisées par les matériaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
BRYKS, Whitney Michael; US
ANGOUA, Bainye Francoise; US
SENEVIRATNE, Dilan Anuradha; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
15/089,02601.04.2016US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE HAVING AN INTERFACIAL LAYER
(FR) SUBSTRAT DE BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE INTERFACIALE
Abrégé :
(EN) Semiconductor package substrates and methods of forming semiconductor package substrates are described. In an example, a semiconductor package substrate includes an interfacial layer between a metal layer and a dielectric layer. For example, the interfacial layer may be attached to the metal layer and the dielectric layer by a chemical bond, e.g., a coordinate bond or a covalent bond. Accordingly, the metal layer may adhere to the dielectric layer.
(FR) L'invention concerne des substrats de boîtier de semi-conducteur et des procédés de formation de substrats de boîtier de semi-conducteur. Dans un exemple, un substrat de boîtier de semi-conducteur comprend une couche interfaciale entre une couche métallique et une couche diélectrique. Par exemple, la couche interfaciale peut être fixée à la couche métallique et à la couche diélectrique par une liaison chimique, par exemple une liaison coordonnée ou une liaison covalente. Par conséquent, la couche métallique peut adhérer à la couche diélectrique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)