WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017172002) CIRCUITS D'ENTRÉE/SORTIE (E/S) ISOLÉS CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES (ESD)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/172002    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/014949
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 25.01.2017
CIB :
H03K 19/003 (2006.01), H03K 19/0185 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : WORLEY, Eugene Robert; (US).
JALILIZEINALI, Reza; (US).
DUNDIGAL, Sreeker; (US).
CHEN, Wen-Yi; (US).
CHILLARA, Krishna Chaitanya; (US).
KANG, Taeghyun; (US)
Mandataire : LENKIN, Alan M.; (US).
LUTZ, Joseph; (US).
CROSBY, Cornell D.; (US).
PARTOW-NAVID, Puya; (US).
BARZILAY, Ilan N.; (US).
FASHU-KANU, Alvin V.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/088,035 31.03.2016 US
Titre (EN) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) ISOLATED INPUT/OUTPUT (I/O) CIRCUITS
(FR) CIRCUITS D'ENTRÉE/SORTIE (E/S) ISOLÉS CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES (ESD)
Abrégé : front page image
(EN)A method of protecting a serializer/deserializer (SERDES) differential input/output (I/O) circuit includes detecting an electrostatic discharge event. The method also includes selectively disengaging a power supply terminal (102) from a pair of I/O transistors of the SERDES differential I/O circuit (120) in response to the detected electrostatic discharge event. The method further includes selectively disengaging a ground terminal (104) from the pair of I/O transistors of the SERDES differential I/O circuit (120) in response to the detected electrostatic discharge event.
(FR)L'invention concerne un procédé de protection d'un circuit d'entrée/sortie (E/S) différentiel de convertisseur parallèle-série.série-parallèle (SERDES) qui comprend la détection d'un événement de décharge électrostatique. Le procédé comprend également la déconnexion sélective d'une borne d'alimentation électrique (102) d'une paire de transistors d'E/S du circuit d'E/S différentiel SERDES (120) en réponse à l'événement de décharge électrostatique détecté. Le procédé comprend en outre la déconnexion sélective d'une borne de masse (104) de la paire de transistors d'E/S du circuit d'E/S différentiel SERDES (120) en réponse à l'événement de décharge électrostatique détecté.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)