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1. (WO2017171979) TECHNIQUES D’ÉVITEMENT DE DÉRIVE DE POLARISATION POUR DISPOSITIF MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2017/171979    International Application No.:    PCT/US2017/013662
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Jan 17 00:59:59 CET 2017
IPC: G11C 16/30
G11C 16/08
G11C 16/10
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: JEYASINGH, Rakesh
GAJERA, Nevil N.
TAUB, Mase J.
PANGAL, Kiran
Title: TECHNIQUES D’ÉVITEMENT DE DÉRIVE DE POLARISATION POUR DISPOSITIF MÉMOIRE
Abstract:
Selon des exemples, l’invention peut concerner des techniques pour éviter la dérive de polarisation pour les cellules de mémoire d’un dispositif de mémoire. Une première cellule de mémoire couplée à une première ligne de mots et à une ligne de bits est sélectionnée pour une opération d’écriture. Une deuxième cellule de mémoire couplée à une deuxième ligne de mots et à la ligne de bits est désélectionnée pour l’opération d’écriture. De première et deuxième tensions de polarisation sont appliquées à la première ligne de mots et à la ligne de bits pendant l’opération d’écriture pour programmer la première cellule de mémoire. Une troisième tension de polarisation est appliquée à la deuxième ligne de mots pendant l’opération d’écriture pour réduire ou éviter la polarisation de la deuxième cellule de mémoire en raison de l’application de la deuxième tension de polarisation à la ligne de bits pour programmer la première cellule de mémoire.