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1. (WO2017171890) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR RÉDUIRE UNE ERREUR DE MODÈLE D'OPC PAR L'INTERMÉDIAIRE D'UN ALGORITHME D'APPRENTISSAGE AUTOMATIQUE

Pub. No.:    WO/2017/171890    International Application No.:    PCT/US2016/025780
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sun Apr 03 01:59:59 CEST 2016
IPC: G03F 1/36
G03F 7/20
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: MA, Hyungjin
LAL, Vasudev
JEONG, Seongtae
HOGGAN, Erik N.
Title: SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR RÉDUIRE UNE ERREUR DE MODÈLE D'OPC PAR L'INTERMÉDIAIRE D'UN ALGORITHME D'APPRENTISSAGE AUTOMATIQUE
Abstract:
Des modes de réalisation de l'invention concernent des procédés, des systèmes et des appareils pour réduire une erreur de modèle de correction de proximité optique (OPC) par l'intermédiaire d'un algorithme d'apprentissage automatique. Un exemple de mode de réalisation comprend des moyens pour créer un masque par l'intermédiaire d'un processus de lithographie; fabriquer une galette en silicium physique à l'aide du masque, la galette en silicium physique ayant une pluralité de fonctionnalités incorporées dans celle-ci telles qu'elles sont définies par le masque; créer un modèle semi-physique du masque en utilisant les paramètres physiques du processus de lithographie utilisé pour créer le masque, le modèle semi-physique spécifiant les contours de la pluralité de fonctionnalités du masque; capturer des images de microscope électronique à balayage (SEM) de la pluralité de fonctionnalités incorporées dans la galette en silicium physique; quantifier les différences entre (a) les contours de la pluralité de fonctionnalités du masque telles que spécifiées par le modèle semi-physique et (b) la pluralité de fonctionnalités incorporées dans la galette en silicium physique telles qu'elles sont capturées par les images de SEM; et décaler les contours de la pluralité de fonctionnalités du masque comme spécifié par le modèle semi-physique sur la base des différences quantifiées. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation associés.