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1. (WO2017171890) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR RÉDUIRE UNE ERREUR DE MODÈLE D'OPC PAR L'INTERMÉDIAIRE D'UN ALGORITHME D'APPRENTISSAGE AUTOMATIQUE
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N° de publication :    WO/2017/171890    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/025780
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 02.04.2016
CIB :
G03F 1/36 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : MA, Hyungjin; (US).
LAL, Vasudev; (US).
JEONG, Seongtae; (US).
HOGGAN, Erik N.; (US)
Mandataire : BRASK, Justin, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUSES FOR REDUCING OPC MODEL ERROR VIA A MACHINE LEARNING ALGORITHM
(FR) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR RÉDUIRE UNE ERREUR DE MODÈLE D'OPC PAR L'INTERMÉDIAIRE D'UN ALGORITHME D'APPRENTISSAGE AUTOMATIQUE
Abrégé : front page image
(EN)In accordance with disclosed embodiments, there are provided methods, systems, and apparatuses for reducing Optical Proximity Correction (OPC) model error via a machine learning algorithm. For instance, in accordance with one embodiment, there are means described for creating a mask via a lithography process; fabricating a physical silicon wafer using the mask, the physical silicon wafer having a plurality of features embodied therein as defined by the mask; creating a semi-physical model of the mask using physical parameters of the lithography process used to create the mask, the semi-physical model specifying contours of the plurality of features of the mask; capturing Scanning Electron Microscope (SEM) images of the plurality of features embodied within the physical silicon wafer; quantifying differences between (a) the contours of the plurality of features of the mask as specified by the semi-physical model and (b) the plurality of features embodied within the physical silicon wafer as captured by the SEM images; and shifting the contours of the plurality of features of the mask as specified by the semi-physical model based on the quantified differences. Other related embodiments are disclosed.
(FR)Des modes de réalisation de l'invention concernent des procédés, des systèmes et des appareils pour réduire une erreur de modèle de correction de proximité optique (OPC) par l'intermédiaire d'un algorithme d'apprentissage automatique. Un exemple de mode de réalisation comprend des moyens pour créer un masque par l'intermédiaire d'un processus de lithographie; fabriquer une galette en silicium physique à l'aide du masque, la galette en silicium physique ayant une pluralité de fonctionnalités incorporées dans celle-ci telles qu'elles sont définies par le masque; créer un modèle semi-physique du masque en utilisant les paramètres physiques du processus de lithographie utilisé pour créer le masque, le modèle semi-physique spécifiant les contours de la pluralité de fonctionnalités du masque; capturer des images de microscope électronique à balayage (SEM) de la pluralité de fonctionnalités incorporées dans la galette en silicium physique; quantifier les différences entre (a) les contours de la pluralité de fonctionnalités du masque telles que spécifiées par le modèle semi-physique et (b) la pluralité de fonctionnalités incorporées dans la galette en silicium physique telles qu'elles sont capturées par les images de SEM; et décaler les contours de la pluralité de fonctionnalités du masque comme spécifié par le modèle semi-physique sur la base des différences quantifiées. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation associés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)